关键字：12v开关电源+12V、0.5A单片开关稳压电源的电路如图所示。其输出功率为6w.当输入交流电压在 110~260V范围内变化时，电压调整率Svs 1%。当负载电流大幅度变化时，负载调整率Si=5%~7%。为简化电路，这里采用了基本反馈方式。接通电源后，220V交流电首先经过桥式整流和C1滤波，得到约+300V的直流高压，再通过高频变压器的初级线圈 N1，给WS157提供所需的工作电压。从次级线圈 N2上输出的脉宽调制功率信号，经 VD7，C4，L和C5进行高频整流滤波，获得 +12V，0.5A的稳压输出。反馈线圈 N3上的电压则通过 VD6，R2、C3整流滤波后，将控制电流加至控制端 C上。由VD5，R1，和C2构成的吸收回路，能有效抑制漏极上的反向峰值电压。该电路的稳压原理分析如下：当由于某种原因致使Uo4时，反馈线圈电压及控制端电流也随之降低，而芯片内部产生的误差电压 Urt时，PWM比较器输出的脉冲占空比 Dt，经过MOSFET和降压式输出电路使得 Uot，最终能维持输出电压不变。反之亦然。如图所示12v开关电源电路图
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-26
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-26
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电路见图1当把开关K1打向“逆变”位置时，BG1导通，由时基电路NE555及外围元件组成的无稳态多谐振荡器开始振荡，其充？放电时间常数可调节？如果选择R1=R2则输出脉冲的占空比为50%，该多谐振荡器的振荡频率f=1.443/（R1+R2+2W）C2，图中的元件数值可使振荡频率调在50Hz，振荡脉冲由役脚输出，波形为方波，该方波经C4耦合，R3？C5积分变为三角波，这个三角波又经RPC6，第二次积分和R5？C7第三次积分，变为近似的正弦波，通过C8耦合到BG2，由BG2放大后在B1的L2线圈上输出？当L2上端电压为正时，D4截止，D3导通，使BGPBG6截止，BG3？BG5导通，电流由电瓶正极→B2的L1-BG5-电瓶负极；当L2上端电压为负时，D3截止，D4导通，使BG2BG5截止，BG4？BG6导通，电流由电瓶正极一B2的L2-BG6电瓶负极？BGBG6交替导通？截止，经变压器B2合成正负对称的正弦波，并由L3升压送至逆变输出插座CZ12CZ2，供用电器使用，同时LED1（红色）亮，指示逆变状态？当开关打向“充电”位置时，市电经变压器B2降压？D5？D6全波整流？R11限流后对电瓶充电，同时LED2（绿色）亮，指示充电状态？
上传时间： 2022-06-27
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无刷直流电动机是现代工业设备中重要的运动部件，保留了有刷直流电动机宽阔而平滑的优良调速性能，同时又克服了有刷直流电动机机械换向带来的一系列的缺点，在各个领域中得到广泛应用。本论文阐述了无刷直流电动机的系统构成和工作原理，分析了无刷直流电动机的数学模型、等效电路、传递函数以及调速原理。采用转速电流双闭环控制与H PWM．L ON的脉宽调制方法驱动控制无刷直流电机，并在MATLAB／Simulink平台上进行了计算机仿真。仿真结果表明，控制系统有较好的动静态特性。论文还分析了经典PID控制和模糊控制各自的优缺点，并介绍了结合二者优点的模糊自适应PID控制的优点。在MATLAB／Simulink平台进行了基于模糊自适应PID控制器的无刷直流电机控制系统的计算机建模仿真。与采用经典PID控制器的控制系统相比，采用模糊自适应PID控制器的控制系统的动静态特性都得到改善。本论文设计了无刷直流电机控制系统的硬件，包括控制单元、功率变换单元，并进行了电磁兼容性设计。控制单元以TI的TMS320F2812DSP控制器为核心，设计了位置传感器接口电路、人机界面电路、电平转换电路、电流采样电路以及采样调理电路等。功率变换单元以三菱的IPM PS21 563．P为核心，设计了整流电路、逆变电路、能耗制动电路以及多项保护电路。设计了基于TMS320F281 2 DSP控制器的速度电流双闭环电机驱动控制程序、位置检测程序、电流采样程序、人机界面程序以及各项安全保护程序等。在对硬件部分和软件部分进行调试后，对控制系统进行了实验，通过实验波形，检验了控制系统的工作性能。本文最后对整个系统的设计进行了总结，并对本系统存在的问题和后续的研究工作提出了自己的看法看法。
上传时间： 2022-06-28
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最近在做一个太阳能充电的项目,使用了这个ic,充电电流稳定,发热小,好用
上传时间： 2022-06-30
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与传统PWM（脉宽调节）变换器不同，LLC是一种通过控制开关频率（频率调节）来实现输出电压恒定的谐振电路。 它的优点是：实现原边两个主MOS开关的零电压开通(ZVS)和副边整流二极管的零电流关断(ZCS)，通过软开关技术，可以降低电源的开关损耗，提高功率变换器的效率和功率密度。
标签： LLC
上传时间： 2022-07-04
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脉宽调制(PWM)DC/DC充全桥变换器适用于中大功率变换场合，为了实现其高效率、高功率密度和高可靠性，有必要研究其软开关技术。《脉宽调制DC/DC全桥变换器的软开关技术（第二版）》系统阐述PWM DC/民金桥变换器的软开关技术。系统提出DC/DC金桥变换器的一族PWM控制方式，并对这些PWM控制方式进行分析，指出为了实现PWM DC/DC全桥变换器的软开关，必须引人超前桥臂和滞后桥臂的概念，而且超前桥臂只能实现零电压开关(ZVS)，滞后桥臂可以实现ZVS或零电流开关(ZCS)钮根据超前桥臂和滞后桥臀实现软开关的方式，将软开关PWM DC/DC全桥变换器归纳为ZVS和ZVZCS两种类型，并讨论这两类变换器的电路拓扑、控制方式和工作原理。提出消除输出整流二极管反向恢复引起的电压振荡的方法，包括加入籍位二极管与电流互感器和采用输出倍流整流电路方法。介绍PWM DC/DC全桥变换器的主要元件，包括输入滤波电容、高频变压器、输出滤波电感和滤波电容的设计，介绍移相控制芯片UC3875的使用以及IGBT和MOSFET的驱动电路，给出一种采用ZVS PWM DC/DC全桥变换器的通讯用开关电源的设计实例。
标签： 脉宽调制 DC/DC全桥变换器 软开关
上传时间： 2022-07-05
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本书简要介绍了现代传感技术及检测技术的概况，阐明了动态测量和其他检测理论及其应用，详细论述了各种传感器的结构、原理。其中第一章为传感技术概况。第二章论述了硅传感器与智能传感器；第三章论述了光与辐射传感器及应用；笫四章论述了各种光纤传感器的原理及其新成果；第五、第六章介绍了近年研究热点---气敏传感器和离子敏传感器。根据传感器在检测技术中的地位 在本书中用较大的篇幅来介绍传感新理论和新技术。内容上注意突出原理性、系统性、层次性和渐进性。
标签： 传感技术
上传时间： 2022-07-06
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日常生活的电子产品和子系统变得越来越智能，这就需要其“大脑”（硅芯片）在面对现实环境中多种多样情况时，能够对各种可能最终影响系统行为和性能做出可预测和期望的反应。这时，基准电压源就出现在我们面前了。基准电压源是一种精密的器件，专门设计用来维持恒定的输出电压，即使在环境温度或者电源电压等参数变化的情况下也一样。基准电压源其精度之高，它能用于除数据转换器之外还能用于其他应用场合。你将在本文档中看到其应用的范围表明了，基准电压虽然不是一个新的概念，但它们是系统设计继续向前推进的一个组成部分。本文对基准电压源作了综合的概述，包括基础知识和设计应技巧。第一章重点介绍基准电压源的基本特征。作者探讨了在一定情况下，电源设计人员可能需要从一个拓扑结构中获得某些特性，同时利用另一个拓扑的优点。第二章研究了基准电压源性能和数据转换器的设计原则。第三章也是最后一章，讨论了基准电压源的灵活应用，如低漂移直流基准电压和电流源。
上传时间： 2022-07-11
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英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率器件都需要一个门极驱动，同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块——包括硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)，或者作为集成功率模块的一部分(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。
标签： 门极驱动
上传时间： 2022-07-16
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