： 通过 L V D S ( 低压差分信号) 传输方案与单个 L C o S ( 硅基液晶) 分时分色显示， 设计主电路 与头盔结构分离的单 L C o S 硅片彩色头盔显示系统。
上传时间： 2013-12-03
上传用户：ommshaggar
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上传时间： 2021-12-17
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上传时间： 2022-02-28
上传用户：qingfengchizhu
针对飞秒激光微纳加工技术中激光与加工样品相对运动的控制、聚焦光斑能量的控制中存在的问题，提出一种基于硅基液晶空间光调制器动态加载计算全息图同时控制焦点位置和能量的新型加工方法。该方法通过加载叠加闪耀光栅的全息图，控制单点运动来扫描加工二维结构，无需平台移动。进一步控制全息图的挖空区域，可以调制入射光斑的能量，进而控制被加工点阵的形貌。利用这一加工效应，成功实现各种可控环状结构的加工，并在光学显微镜下测试达到相应效果，证明这种加工方法在飞秒激光微纳加工领域具有可行性。
上传时间： 2019-02-22
上传用户：yuchen1019
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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光电子学基础
标签： 光电子
上传时间： 2013-06-25
上传用户：eeworm
光电子学及其应用
标签： 光电子
上传时间： 2013-07-28
上传用户：eeworm
硅稳压管
上传时间： 2013-08-02
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基体钢65Nb 在冷作模具上的应用
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
OHM大学理工系列 光电子学 滨川
上传时间： 2013-06-04
上传用户：eeworm
