随着高频微波在日常生活上的广泛应用，例如行动电话、无线个人计算机、无线网络等，高频电路的技术也日新月异。良好的高频电路设计的实现与改善，则建立在于精确的组件模型的基础上。被动组件如电感、滤波器等的电路模型与电路制作的材料、制程有紧密的关系，而建立这些组件等效电路模型的方法称为参数萃取。 早期的电感制作以金属绕线为主要的材料与技术，而近年来，由于高频与高速电路的应用日益广泛，加上电路设计趋向轻薄短小，电感制作的材质与技术也不断的进步。例如射频机体电路（RFIC）运用硅材质，微波集成电路则广泛的运用砷化镓（GaAs）技术；此外，在低成本的无线通讯射频应用上，如混合（Hybrid）集成电路则运用有机多芯片模块（MCMs）结合传统的玻璃基板制程，以及低温共烧陶瓷（LTCC）技术，制作印刷式平面电感等，以提升组件的质量与效能，并减少体积与成本。 本章的重点包涵探讨电感的原理与专有名词，以及以常见的电感结构，并分析影响电感效能的主要因素与其电路模型，最后将以电感的模拟设计为例，说明电感参数的萃取。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：yuanxiaoqiang
为了产生驱动多幅闪光照相的高重频猝发高压电脉冲，开展了基于硅堆隔离的猝发高压脉冲发生装置的可行性研究。对普通整流硅堆脉冲条件的导通电流，反向关断时间进行了实验研究；采用脉冲形成线产生矩形脉冲，利用不同长度传输线的传输时延产生多脉冲，以硅堆隔离的方式实现多脉冲在负载的输出。研究表明：硅堆在500 ns脉宽条件下，其电流过载至少736倍，关断时间约200 ns，硅堆的绝缘恢复时间决定产生脉冲的最高重复频率。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：稀世之宝039
关于铁硅铝（AS）材料选择的一些介绍
上传时间： 2013-11-16
上传用户：weiwolkt
BKZ系列硅整流电源装置适用于交流50Hz/60 、电Hz 压500V以下的交流电源改变为直流24V的装置。
上传时间： 2013-12-01
上传用户：erkuizhang
薄膜硅电池生产线的问题 •设备投资过大 •技术升级过快 •生产工艺不成熟 •电池效率仍较低 •电池的长期寿命有待验证(电池的稳定性仍不好)
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ruan2570406
摘要: 研究用内腔式He- Ne 激光器做光源时, 硅光电池实验中光电检流计读数不稳定的现象。利用硅光电池分别观测在不加偏振片、加上偏振片时内腔式He- Ne 激光器输出的光强度, 得到激光经偏振片后输出光强随时间而变。利用共焦扫描干涉仪扫描出激光束的各个纵模, 实验表明, 内腔式He- Ne 激光器每个纵模的偏振方向随时间缓慢变化, 引起了实验中输出的光强变化。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：ArmKing88
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
来自日本东京，韩国首尔，美国德克萨斯普莱诺，2009年12月10日—MICROTUNE,INC.今日发布一款基于最新高集成硅技术的标准射频-基带芯片，此款芯片以极具吸引力的价格提供出色的电视接收性能。MT3141单芯片为全球电视制造商在下一代数字电视设计中引入高性能、低成本、超小型的接收器，从而使他们能够提供所有品牌、型号、价格和屏幕尺寸的超薄超轻的高性能数字电视产品。
上传时间： 2013-10-23
上传用户：xitai
DAB基带芯片是一款集成面积小、功耗低、可用于移动和便携设备的DAB基带解码器和MPEGL2音频解码器。本设计完全自主开发，可以对DABETSI300401传输帧进行全速解码，包括数字混频、同步/跟踪和解调。基带解码器可同时对传输帧内的两路音频、数据或视频节目进行解码。解码后的音频节目可以通过上MPEGL2音频解码器播放，数据/视频节目可以通过外部CPU进一步处理和显示。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：woshini123456
HT47R20A-1时基(Time Base)使用介绍 HT47 系列单片机的时基可提供一个周期性超时时间周期以产生规则性的内部中断。时基的时钟来源可由掩膜选择设定为WDT 时钟、RTC 时钟或指令时钟（系统时钟/4）；其超时时间范围可由掩膜选择设定为“时钟来源”/212~“时钟来源”/215。如果时基发生超时现象，则其对应的中断请求标志（TBF）会被置位，如果中断允许，则产生一个中断服务到08H 的地址。
上传时间： 2013-11-15
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