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一般的压阻式硅微加速度传感器结构多采用悬臂梁加质量块的形式, 这种结构的传感器有很高的灵敏度, 但它会产生很高的横向效应。文中介绍一种八梁结构的三轴加速度传感器, 通过用ANSYS有限元分析软
专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G 速查速用世界最新可控硅替换手册-1260页-19.3M.pdf
专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G -速查速用世界最新可控硅替换手册-1261页-19.7M.pdf
The L6353 is a smart silicon device which integrates all the circuitry for a versatile and rugged ga
扩散硅压力传感器及变送器参数测试系统: 采用具有自校验和信号调理功能的24 位ADC ,开发设计了一种高精度数据采集系统. 该系统能对扩散硅压阻传感器和变送器的特性参数进行高精度的检测;同时,亦
采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成
介绍了二线制数字补偿扩散硅差压变送器的补偿原理和低功耗设计的方法。用单片机采样差传感器的压力输出和温度,通过查找初始化数据,计算出准确的压值。该仪表调试简单,使用方便,性能良好。关键词
采用具有自校验和信号调理功能的24 位ADC ,开发设计了一种高精度数据采集系统. 该系统能对扩散硅压阻传感器和变送器的特性参数进行高精度的检测;同时,亦可对热电偶等具有毫伏信号输出的传感器进
采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电