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电阻传感器

把位移、力、压力、加速度、扭矩等非电物理量转换为电阻值变化的传感器。它主要包括电阻应变式传感器、电位器式传感器(见位移传感器)和锰铜压阻传感器等。电阻式传感器与相应的测量电路组成的测力、测压、称重、测位移、加速度、扭矩等测量仪表是冶金、电力、交通、石化、商业、生物医学和国防等部门进行自动称重、过程检测和实现生产过程自动化不可缺少的工具之一。
  • Altera_FPGA管脚弱上拉电阻的软件设置方法

    Altera_FPGA管脚弱上拉电阻的软件设置方法

    标签: Altera_FPGA 管脚 上拉电阻 软件

    上传时间: 2013-08-13

    上传用户:hj_18

  • 用s3c44b0x和 CIS(ContactImage Sensor) 传感器接口

    用s3c44b0x和 CIS(ContactImage Sensor) 传感器接口

    标签: ContactImage s3c44b0x Sensor CIS

    上传时间: 2013-08-30

    上传用户:chens000

  • 基于Kalman滤波的多传感器信息融合研究

    多传感器信息融合是对多种信息的获取、表示及其内在联系进行综合处理和优化的技术。单一传感器只能获得环境或被测对象的部分信息段,多传感器信息融合后可以完善地、准确地反映环境特征。本文介绍多传感器数据融合的基本理论。数据融合是把来自不同传感器数据加以综合、相关、互联,提高定位和特征估计的精度。文章对Kalman融合算法进行仿真,对结果进行分析。验证算法的可行性。

    标签: Kalman 滤波 多传感器 信息融合

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:zhaoke2005

  • 256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)

    采用单片机的8位输出口,每个输出口接入1只电阻,其阻值为2n次方,由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联),此电阻接入比较器并控制可控硅导通角,实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。

    标签: 256 DA驱动 调光计算 电阻

    上传时间: 2013-10-26

    上传用户:hjkhjk

  • mos管门级驱动电阻计算

    mos管门级驱动电阻计算

    标签: mos 门级 计算 驱动电阻

    上传时间: 2013-12-19

    上传用户:王楚楚

  • MEMS传感器的静止带宽测试

    对于采用MEMS加速度计和陀螺仪的工业系统而言,优化带宽可能是关键考虑因素。这代表着精度(噪声)与响应时间之间的一种经典权衡。虽然多数MEMS传感器制造商都会给出典型带宽指标,往往还需要验证传感器或整个系统的实际带宽。在确定加速度计和陀螺仪的带宽特性时,一般需要使用振动台或其他机械激励源。要精确确定特性,需要全面了解应用于受测器件(DUT)的运动。在此过程中需要管理多种潜在误差源。在机械带宽测定中,一个常见的误差源是谐振。导致机械谐振的原因有多种,包括激励源维护不当、DUT与激励源耦合不良以及基准传感器放置等。这些误差的隔离十分耗时,可能给至关重要的项目进度带来风险。  

    标签: MEMS 传感器 带宽测试

    上传时间: 2013-11-01

    上传用户:王小奇

  • XTR105_BURR-BROWN_273961

    XTR105、XTR112、XTR114是美国Burr-Brown公司在传感器领域推出的用于RTD的两线制专用集成变送电路,这个电路的突出优点是可以对Pt电阻中的二次项进行线性化补偿。文章介绍了它们的工作原理及其在一体化温度变送器中的应用。 关键词:XTR;RTD;线性化;温度变送器

    标签: BURR-BROWN 273961 XTR 105

    上传时间: 2014-02-17

    上传用户:mahone

  • 上下拉电阻小结

    上下拉电阻的小结,希望对大家有用

    标签: 下拉电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:18165383642

  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291

  • 利用AD7142和电容传感器开发单键数字快门按钮

    本应用笔记描述如何利用AD7142和电容传感器环,实现类似于传统35 mm单反(SLR)相机的单一位置数码相机快门按钮。除了更容易控制快门按钮的启动之外,其它优势包括:预对焦速度更快、快门按钮更便宜。

    标签: 7142 AD 电容传感器 单键

    上传时间: 2013-10-26

    上传用户:13925096126