介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
数字电压表 AD芯片： 采用8位串行A/D转换器ADC0832。 ● 8位分辨率，逐次逼近型，基准电压为 5V ● 5V单电源供电 ● 输入模拟信号电压范围为 0～5V ● 有两个可供选择的模拟输入通道 显示： 使用三个数码管。 显示范围： 0.00 － 5.10 （单位：V） 连接方式： AD_CLK → P1.0 AD_DAT → P1.1 AD_CS → P3.4 模拟输入 → CH0 (AD_DAT = DO + DI) ADC0832输出最大转换值＝FFH (255) 设定最大测量值＝5.1V 255X=5.1 X=0.02 即先乘2再除以100 （小数点放在第三位数码管）
上传时间： 2015-06-18
上传用户：fandeshun
数字电压表 AD芯片： 采用8位串行A/D转换器ADC0832。 ● 8位分辨率，逐次逼近型，基准电压为 5V ● 5V单电源供电 ● 输入模拟信号电压范围为 0～5V ● 有两个可供选择的模拟输入通道 显示： 使用三个数码管。 显示范围： 0.00 － 5.10 （单位：V） 连接方式： AD_CLK → P1.0 AD_DAT → P1.1 AD_CS → P3.4 模拟输入 → CH0 (AD_DAT = DO + DI) ADC0832输出最大转换值＝FFH (255) 设定最大测量值＝5.1V 255X=5.1 X=0.02 即先乘2再除以100 （小数点放在第三位数码管）
上传时间： 2016-06-21
上传用户：zhangliming420
数字电压表 AD芯片： 采用8位串行A/D转换器ADC0832。 ● 8位分辨率，逐次逼近型，基准电压为 5V ● 5V单电源供电 ● 输入模拟信号电压范围为 0～5V ● 有两个可供选择的模拟输入通道 显示： 使用三个数码管。 显示范围： 0.00 － 5.10 （单位：V） 连接方式： AD_CLK → P1.0 AD_DAT → P1.1 AD_CS → P3.4 模拟输入 → CH0 (AD_DAT = DO + DI) ADC0832输出最大转换值＝FFH (255) 设定最大测量值＝5.1V 255X=5.1 X=0.02 即先乘2再除以100 （小数点放在第三位数码管）
上传时间： 2016-06-21
上传用户：懒龙1988
数字电压表 AD芯片： 采用8位串行A/D转换器ADC0832。 ● 8位分辨率，逐次逼近型，基准电压为 5V ● 5V单电源供电 ● 输入模拟信号电压范围为 0～5V ● 有两个可供选择的模拟输入通道 显示： 使用P0口的数码管显示转换值。 显示范围： 0.00 － 5.10 （单位：V） 连接方式： AD_CLK → P1.0 AD_DAT → P1.1 AD_CS → P3.4 模拟输入 → CH0 (AD_DAT = DO + DI) ADC0832输出最大转换值＝FFH (255) 设定最大测量值＝5.1V 255X=5.1 X=0.02 即先乘2再除以100 （小数点放在第三位数码管）
上传时间： 2013-12-05
上传用户：dreamboy36
数字电压表 AD芯片： 采用8位串行A/D转换器ADC0832。 ● 8位分辨率，逐次逼近型，基准电压为 5V ● 5V单电源供电 ● 输入模拟信号电压范围为 0～5V ● 有两个可供选择的模拟输入通道
上传时间： 2016-09-30
上传用户：jiahao131
日常生活的电子产品和子系统变得越来越智能，这就需要其“大脑”（硅芯片）在面对现实环境中多种多样情况时，能够对各种可能最终影响系统行为和性能做出可预测和期望的反应。这时，基准电压源就出现在我们面前了。基准电压源是一种精密的器件，专门设计用来维持恒定的输出电压，即使在环境温度或者电源电压等参数变化的情况下也一样。基准电压源其精度之高，它能用于除数据转换器之外还能用于其他应用场合。你将在本文档中看到其应用的范围表明了，基准电压虽然不是一个新的概念，但它们是系统设计继续向前推进的一个组成部分。本文对基准电压源作了综合的概述，包括基础知识和设计应技巧。第一章重点介绍基准电压源的基本特征。作者探讨了在一定情况下，电源设计人员可能需要从一个拓扑结构中获得某些特性，同时利用另一个拓扑的优点。第二章研究了基准电压源性能和数据转换器的设计原则。第三章也是最后一章，讨论了基准电压源的灵活应用，如低漂移直流基准电压和电流源。
上传时间： 2022-07-11
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IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片，它采用高度集成的电平转换技术，大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求，同时提高了驱动电路的可靠性[1]。对于我设计的含有ZCS环节的单相光伏逆变电路中有6个IGBT，只需要3片芯片即可驱动，通过dsp2812控制实现软开关和逆变的功能，同时只需要提供3.3 V，12 V的基准电压即可工作，在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目，降低了产品成本，提高了系统可靠性。
上传时间： 2014-01-05
上传用户：tom_man2008
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
