设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
标签： mosfet
上传时间： 2022-04-02
上传用户：默默
HS104是一款集成温度和压力检测的信号调理和变送输出的专用芯片。芯片内置独立的低温漂带隙基准源，可向传感器提供恒定的电流，通过片内放大器和滤波器，将传感器的电阻变化转换成电流信号输出。
标签： 温压传感器
上传时间： 2022-06-18
上传用户：1208020161
AD7606是鄙人最近调试过的一个模块，这里也给大家分享分享使用的经验，以下是原理图，仍然是备注了详细的注意事项，方便读图和调试：PCB如下，3D封装，这个KF2EDGK-3.81-10P座子花了不少时间画3D封装了~ 不过还是值得，看着很舒服，也方便配合结构设计AD7606这个ADC芯片用的比较广泛，主要是性能不错而且价格不算高，它主要有以下一些特点：8/6/4 路同步采样输入真双极性模拟输入范围：±10 V、±5 V5V模拟单电源，2.3V至+5V VDRIVE完全集成的数据采集解决方案模拟输入箝位保护具有1 MΩ模拟输入阻抗的输入缓冲器二阶抗混叠模拟滤波器片内精密基准电压及基准电压缓冲器16位、200 kSPS ADC（所有通道）通过数字滤波器提供过采样功能
标签： ad7606
上传时间： 2022-06-24
上传用户：得之我幸78
要实现示波器的最高使用性能，您必须根据特定的应用需要选择适宜的探头和附件。无论您是需要便于连接到表面贴装 IC 的高带宽、低负载的有源探头，还是需要用于测量高电压的无源探头，是德科技示波器都有众多可供选择的优质探头和附件。
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上传时间： 2022-07-29
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根据汽车发动机控制芯片的工作环境，针对常见的温度失效问题，提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺，采用电流型带隙基准电压源结构，具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法，实现了较宽温度范围内的低温度系数。仿真结果表明，该带隙基准电路在-50℃~+125℃的温度范围内，实现平均输出电压误差仅5.2 ppm/℃，可用于要求极端严格的发动机温度环境。该电路电源共模抑制比最大为99 dB，可以有效缓解由发动机在不同工况下产生的电源纹波对输出参考电压的影响。
上传时间： 2014-01-09
上传用户：ecooo
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
B＋树实现源码，JAVA语言，数据库索引技术
上传时间： 2013-12-22
上传用户：xc216
无线数传电台串口通信C程序源码 电台型号为深圳友迅达公司的F201/B无线数传电台
上传时间： 2014-01-24
上传用户：王小奇
非均匀有理b样条曲线nurbs的C＋＋源码库。 3.0.11版
上传时间： 2015-04-24
上传用户：Miyuki
