基于氮化镓的图腾柱无桥PFC
得益于氮化镓材料的诸多特性,氮化镓场效应晶体管(GaN-FET)的性能要比目前最好的商用硅MOSFET更高。 该PPT以连续导电模式(CCM)的图腾柱无桥PFC为例,介绍了GaN-FET的特性和应用。...
得益于氮化镓材料的诸多特性,氮化镓场效应晶体管(GaN-FET)的性能要比目前最好的商用硅MOSFET更高。 该PPT以连续导电模式(CCM)的图腾柱无桥PFC为例,介绍了GaN-FET的特性和应用。...
纳米氮化硅陶瓷发热体自身绝缘,发热不导电,即使在损坏断裂的情况下也不会带电,绝对安全,这就彻底杜绝同类产品因老化、自身氧化、温差等各种问题引起漏电,彻底杜绝热水器行业最大的安全隐患。...
基于氮化镓MOS的高效PD协议智能充电器,超小体积超高效率,用于手机、pad、笔记本电脑的充电。...
摘 要:用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光...
研究了不同反应温度对苯热合成立方氮化硼的影响,研究结果表明:以Li3N和BBr3为原料制备立方氮化硼时,温度对产物中立方相含量有很大影响,在200~400℃,产物主要为六方相氮化硼,随温度升高,...