氮化
共 19 篇文章
氮化 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 19 篇文章，持续更新中。
电子工程师必备知识
电子工程师必备基础知识手册
电阻
导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、
kΩ、MΩ 表示。
一、电阻的型号命名方法：
国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）
第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R 表示电阻，W 表示电位器。
第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有
机实心、
氮化硅即热式热水器
纳米氮化硅陶瓷发热体自身绝缘，发热不导电，即使在损坏断裂的情况下也不会带电，绝对安全，这就彻底杜绝同类产品因老化、自身氧化、温差等各种问题引起漏电，彻底杜绝热水器行业最大的安全隐患。
反应温度对苯热合成氮化硼纳米晶的影响
<P>研究了不同反应温度对苯热合成立方氮化硼的影响，研究结果表明：以Li3N和BBr3为原料制备立方氮化硼时，温度对产物中立方相含量有很大影响，在200~400℃，产物主要为六方相氮化硼，随温度升高，
氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
<P>用RF磁控溅射的方法在Si（100）基底上沉积了纳米氮化硼薄膜，然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理，用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究，结果表明氢等离子
表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
<P>摘 要：用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si（100）基底上沉积了纳米氮化硼薄膜，然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理，分别用红外光
高分子材料与土壤化肥
<P>人口的激增加速了对粮食、饲料的需要，农业生产高速增长，化肥用量急剧上升，氮化肥用量偏高，引起了严重的地下水、地表水的污染，氮化合物气体逸入空气破坏了大气臭氧层，造成了生态环境平衡的严重失调。本文
集成电路制造工艺流程
集成电路技术过程介绍，从外延到氮化硅淀积的所有流程介绍
基于氮化镓的图腾柱无桥PFC
得益于氮化镓材料的诸多特性，氮化镓场效应晶体管(GaN-FET)的性能要比目前最好的商用硅MOSFET更高。 该PPT以连续导电模式（CCM）的图腾柱无桥PFC为例，介绍了GaN-FET的特性和应用。
你一定需要！2019最新门极驱动选型指南
<p>英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019</p><p>门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。</p><p>每一个功率器件都需要一个门
芯片衬底技术说明
<p>LED衬底是LED产品的重要组成部分，不同的衬底材料，需要不同的磊晶（晶圆生长）技术、芯片加工技术和封装技术，最</p><p>常见的为氮化物衬底材料等。对于制作LED芯片来说衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底需要根</p><p>据设备和LED器件的要求进行选择。</p><p><br/></p>
GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计
<p>本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱
基于GaN器件射频功率放大电路的设计
<p>本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）</p><p>进行的宽带功率放大电路设计.</p><p>主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点，继而进行宽带阻抗匹配电
60W氮化镓 PD充电器工程文件
<p>基于氮化镓MOS的高效PD协议智能充电器，超小体积超高效率，用于手机、pad、笔记本电脑的充电。</p>
硬件工程师 电子工程师必备知识手册
<p>硬件工程师 电子工程师必备知识手册</p><p>关键字： 电阻 基础知识 线绕电阻器 薄膜电阻器 实心电阻器
电阻
导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号 R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，
分别用Ω、kΩ、MΩ 表示。
一、电阻的型号命名方法：
国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）
第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如 R 表示电阻，W 表示电位
器。
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
<p>半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试</p><p>宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。</p><p>四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，<br/>对样品形状没有要求， 且不需要测量样品所有尺寸， 但需满足
级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用
<p>级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用</p>
105W PFC+QR 氮化镓PD快充原理图
105W PFC+QR 氮化镓PD快充原理图
105W PFC+QR 氮化镓PD快充原理图 PFC
<p>105W PFC+QR 氮化镓PD快充原理图</p>
基于神经网络的车削加工表面粗糙度智能预测
表面粗糙度是机械加工工艺中主要的技术参数， 对零件质量和产品性能有着极为重要的影响。<br />
以加工表面粗糙度与切削用量三要素的关系为对象， 采用正交试验方法， 利用立方氮化硼刀具对冷作模具钢<br />
Cr12MoV 进行硬态干式车削试验，测量得到选定参数条件下的加工表面粗糙度值，并应用人工智能神经网络方<br />
法建立了加工表面粗糙度预测模型。结果表明，该预测模型具有很好的预测精度，