表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响 - 免费下载
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资源简介
摘 要：用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si（100）基底上沉积了纳米氮化硼薄膜，然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理，分别用红外光
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