摘 要：用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si（100）基底上沉积了纳米氮化硼薄膜，然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理，分别用红外光
氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
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用RF磁控溅射的方法在Si（100）基底上沉积了纳米氮化硼薄膜，然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理，用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究，结果表明氢等离子
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