手机快充协议总结，有需要的可以参考1
标签： 手机快充协议
上传时间： 2022-04-17
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本文档是电动汽车直流充电桩(快充)设计难点与解决方案免费下载
上传时间： 2022-05-11
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QC2.0 电源快充解决方案（原理图、PCB源文件、程序源码、仿真等）.
上传时间： 2022-06-21
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珠海智融SW6208/06全协议快充22.5W移动电源SOC
上传时间： 2022-07-04
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快充已成为今天最热门应用，需要熟悉行业标准最重要才能准确了解设计方向。
标签： 快速充电
上传时间： 2022-07-17
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半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需要测量样品所有尺寸， 但需满足以下四个条件• 样品必须具有均匀厚度的扁平形状。• 样品不能有任何隔离的孔。• 样品必须是均质和各向同性的。• 所有四个触点必须位于样品的边缘。
上传时间： 2022-01-03
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英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率器件都需要一个门极驱动，同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块——包括硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)，或者作为集成功率模块的一部分(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。
标签： 门极驱动
上传时间： 2022-07-16
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· 摘要： MATLAB是一种建立在向量、数组、矩阵基础上,面向科学和工程计算的高级语言,为科学研究和工程计算提供了一个方便有效的工具.该文简要介绍了B样条和B样条小波的构成,并利用MATLAB语言编写了绘制任意阶B样条和B样条小波图形的程序.
上传时间： 2013-04-24
上传用户：sqq
剖析Intel IA32 架构下C 语言及CPU 浮点数机制 Version 0.01 哈尔滨工业大学 谢煜波 （email: xieyubo@126.com 网址:http://purec.binghua.com） （QQ:13916830 哈工大紫丁香BBSID:iamxiaohan） 前言 这两天翻看一本C 语言书的时候，发现上面有一段这样写到 例：将同一实型数分别赋值给单精度实型和双精度实型，然后打印输出。 #include <stdio.h> main() { float a double b a = 123456.789e4 b = 123456.789e4 printf(“％f\n％f\n”,a,b) } 运行结果如下：
标签： Version xieyubo Intel email
上传时间： 2013-12-25
上传用户：徐孺
问题描述 序列Z=<B，C，D，B>是序列X=<A，B，C，B，D，A，B>的子序列，相应的递增下标序列为<2，3，5，7>。 一般地，给定一个序列X=<x1,x2,…,xm>，则另一个序列Z=<z1,z2,…,zk>是X的子序列，是指存在一个严格递增的下标序列〈i1,i2,…,ik〉使得对于所有j=1,2,…,k使Z中第j个元素zj与X中第ij个元素相同。 给定2个序列X和Y，当另一序列Z既是X的子序列又是Y的子序列时，称Z是序列X和Y的公共子序列。 你的任务是：给定2个序列X、Y，求X和Y的最长公共子序列Z。
上传时间： 2014-01-25
上传用户：netwolf
