本文介绍了Flat— Cell结构和采用Flat— Cell技术的ROM设计方法。包括Flat—Cell的工艺技术、Flat—Cell基本电路结构和ROM 放大器电路。
标签： FlatP_Cell ROM 分
上传时间： 2013-11-15
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本文依据微波电磁场理论概述了微带铁氧体器件在毫米波频率下的工作模式, 探讨了毫米波微带铁氧体器件的电参数的设计考虑, 对从事毫米波微带铁氧体器件的研究, 提供了基本的设计模型, 以期引起进一步的探讨。
上传时间： 2013-10-07
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采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 μm 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：kangqiaoyibie
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：summery
针对传统诊断方法的不足之处，介绍了基于人工智能和现代信息信号处理的现代故障诊断方法，包括专家系统诊断方法、神经网络诊断方法、模糊诊断方法和基于核的诊断方法，同时系统地分析了每种方法的基本原理、优缺点、研究进展和典型应用。最后探讨了目前模拟电路故障诊断研究存在的问题和未来的发展方向。
上传时间： 2013-10-30
上传用户：maricle
本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是60CoC和电子辐照损伤的主要原因, 而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位.
上传时间： 2013-11-12
上传用户：gououo
介绍了基于AD549高精度快响应低漂移微电流放大器的工作原理、电路设计和制造工艺、词试技术，该微电流放大器是核反应堆反应性测量的关键部件之一，其低噪声、快响应与低漂移技术是精确测量反应性重要因数之一。
上传时间： 2013-10-25
上传用户：boyaboy
基于0．25gm PHEMT工艺，给出了两个高增益K 波段低噪声放大器．放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声；采用直流偏置上加阻容网络，用来消除低频增益和振荡；三级电路通过电阻共用一组正负电源，使用方便，且电路性能较好，输入输出驻波比小于2．0；功率增益达24dB；噪声系数小于3．5dB．两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积，放大器ldB压缩点输出功率大于15dBm；芯片尺寸为1mm×2mm×0．1mm．该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26．5GHz本地多点通信系统中．
上传时间： 2014-12-23
上传用户：masochism
分析了ZCS PWM DC/DC变换器电路的工作原理,探讨了主要参数的设定,并建立了基于Matlab的仿真模型,通过选择参数对仿真模型和程序进行校核和调试.
上传时间： 2013-11-02
上传用户：diets
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：DE2542
