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工艺探讨

  • IAR Embedded Workbench用户指南

    IAR Embedded Workbench for ARM 是IAR Systems 公司为ARM微处理器开发的一 个集成开发环境(下面简称 IAR EWARM )。比较其他的 ARM开发环境,IAR EWARM 具 有入门容易、使用方便和代码紧凑等特点。故在这里介绍给打算学习使用或正在使用ARM 芯片的朋友们共同探讨。

    标签: Workbench Embedded IAR 用户

    上传时间: 2013-06-04

    上传用户:jing911003

  • 基于FPGA的自治型SPWM波形发生器的设计

    基于FPGA的自治型SPWM波形发生器的设计!正弦脉宽调制(SPWM)技术在以电压源逆变电路为核心的电力电子装置中有着广泛的应用,如何产生SPWM脉冲序列及其实现手段是PWM技术的关键。大家共同探讨哈!

    标签: FPGA SPWM 波形发生器

    上传时间: 2013-08-15

    上传用户:集美慧

  • 计PLD/FPGA时通常采用几种时钟类型

    无沦是用离散逻辑、可编程逻辑,还是用全定制硅器件实现的任何数字设计,为了成功地操\r\n作,可靠的时钟是非常关键的。设计不良的时钟在极限的温度、电压或制造工艺的偏差情况下将\r\n导致错误的行为,并且调试困难、花销很大。 在设计PLD/FPGA时通常采用几种时钟类型。时钟可\r\n分为如下四种类型:全局时钟、门控时钟、多级逻辑时钟和波动式时钟。多时钟系统能够包括上\r\n述四种时钟类型的任意组合。

    标签: FPGA PLD 时钟

    上传时间: 2013-09-04

    上传用户:yelong0614

  • 智能IETM语义检索系统设计与实现

      通过对IETM智能化语义检索方法的探讨,提出了一种基于Jena推理的IETM智能化语义检索方法。分析了当前IETM系统检索方法存在的不足,提出了语义检索是实现IETM智能化的有效途径。详细阐述了Jena语义推理的基本原理。最后,设计了基于Jena推理的IETM智能化语义检索方法,该方法根据输入检索语义检索条件在IETM领域本体库中进行Jena推理获得语义扩展的检索结果;根据语义扩展后的检索结果在CSDB中进行检索,获得最终结果。所提方法较好地满足了IETM系统中海量领域知识的智能化检索和用户多样性需求的要求,强调了检索的查全率和查准率,有效地克服了传统的关键字检索模型存在的语义缺失问题。

    标签: IETM 语义检索 系统设计

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:hehuaiyu

  • 高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

    基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕度为63°。

    标签: CMOS 增益 低功耗 轨到轨

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:xlcky

  • 板级模拟电路仿真收敛性技术研究

    电路仿真不仅应用于电路设计阶段,也用于电路故障诊断中。电路仿真结果能够为建立电路测试诊断知识库提供重要的参考信息。本文简要介绍了电路仿真收敛性的相关理论,分析了板级模拟电路直流分析和瞬态分析的仿真收敛性问题,深入探讨了电路仿真技术的原理和发展,重点研究了新的电路仿真算法,并将其应用于模拟电路仿真系统中。

    标签: 板级 仿真 收敛性 技术研究

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:hopy

  • 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

    提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

    标签: LDMOS 射频集成电路 击穿

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:603100257

  • 一种带振幅调节的晶体振荡器

    设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。

    标签: 振幅 调节 晶体振荡器

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:maricle

  • 一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器

    提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实现了低电压低功耗。为得到较宽的增益范围,应用了一种新颖的伪幂指函数。利用Cadence中spectre工具仿真,结果表明,在1.2 V的工作电压下,具有76 dB的增益,控制电压范围超过0.8 V,带宽范围从34 MHz到183.6 MHz,功耗为0.82 mW。

    标签: gm_ID 可变增益放大器

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:笨小孩

  • 2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计

    利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终使得该LNA在2~4 GHz波段内增益大于20 dB,噪声小于1.2 dB,输出电压驻波比小于2,达到了设计指标的要求。

    标签: GHz 波段 低噪声放大器 仿真设计

    上传时间: 2014-07-03

    上传用户:远远ssad