化硅
共 31 篇文章
化硅 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 31 篇文章，持续更新中。
碳化硅器件的研究资料
关于碳化硅器件的最新研究情况，包含新兴器件结构，性能，以及可靠性问题的研究。
氮化硅即热式热水器
纳米氮化硅陶瓷发热体自身绝缘，发热不导电，即使在损坏断裂的情况下也不会带电，绝对安全，这就彻底杜绝同类产品因老化、自身氧化、温差等各种问题引起漏电，彻底杜绝热水器行业最大的安全隐患。
高压碳化硅二极管
文章介绍了目前世界上阻断电压最高的碳化硅二极管的开发
模糊PID碳化硅微粉恒压供水系统
·模糊PID碳化硅微粉恒压供水系统
CREE晶片常见问题及解答
Q：Cree 公司生产红光LED 芯片吗？
A ：Cree 公司一直以来都没有生产红光LED 芯片，只有蓝光、绿光和紫外光LED 芯片。
Q：Cree 的芯片都是碳化硅（SiC）材料为衬底的吗？
A：目前Cree 公司的小功率LED 芯片都是采用碳化硅（SiC）材料为衬底的，而EZBright 系列LED 芯片
则采用Si 衬底结构。Cree 公司是世界上少有采用碳化硅（SiC）材料为衬底
LED技术全攻略
1907年Henry Joseph Round 第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用；更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应，研究被摒弃了。二十年代晚期Bernhard Gudden和Robert Wichard 在德国使用从锌硫化物与铜中提炼的的黄磷发光。再一次因发光暗淡而停止。
二氧化硅薄膜的制备及应用
二氧化硅薄膜的制备及应用。详细讲述了二氧化硅薄膜的制备及应用
基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究
<P>采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形<BR>成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成
智能高温压力传感器的研制
<P>本文介绍了只能化硅-蓝宝石高温传感器的微机检测、运算处理和控制，由半导体工艺制成的硅压阻传感器，当其把压力信号转换为电信号以后，再由微机对检测的信号压力零点及灵敏度的温度补偿以及对压力非线性特性
基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究
采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形<BR>成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电
热释电单元探测器的电压响应模拟
采用一维热扩散理论, 用M at lab 应用软件, 模拟了热释电单元传感器的电压响应, 比较PET 塑料衬底、多孔二氧化硅衬底、悬空结构以及体硅衬底的热传导对探测器性能的的影响, 并与PCL T&o
集成电路制造工艺流程
集成电路技术过程介绍，从外延到氮化硅淀积的所有流程介绍
2.5kWPFC评估板
对英飞凌的解决方案——2.5kW PFC 评估板深度解析说明。这个评估板包含以 4 针形式封装的一个 CCM-PFC 控制器、MOSFET 驱动器，碳化硅 (SiC) 二极管和功率 MOSFET，改善了效率和信号质量，实现精密评估。
英飞凌功率器件参数解读
英飞凌研讨会有关“功率器件参数解读”，主要有英飞凌的MOSFET和碳化硅二极管的介紹。
SiC二极管在电源中的应用
英飞凌SiC肖特基二极——适合各种供电条件的解决方案，英飞凌利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料，能制造出接近理想功能特性的升压二极管，并适合PFC应用中的各种功率级别。SiC肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向电流无关的特性均能减少PFC应用中的功率损耗。
碳化硅电力电子器件的发展现状分析
SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管（SBD）和JBS结构二极管。目前，SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。
使用Si828x驱动MOSFET和IGBT开关
Si828x产品将隔离、栅极驱动器、故障检测保护和操作指示器集成到一个封装中，以驱动IGBT和MOSFET以及其他门控电源开关器件。大多数Si828x产品（Si8286除外）都有三个独立的输出引脚，提供独立的上升和下降时间设置和低阻抗钳位，以抑制米勒电压尖峰。本应用笔记提供了选择驱动程序运行所需的外部组件的指导。虽然本应用笔记讨论了驱动IGBT和MOSFET的主题，但用户可以使用相同的概念来驱动其
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别
<p>EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以
20kW全桥谐振LLC转换器
<p>此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFE
你一定需要！2019最新门极驱动选型指南
<p>英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019</p><p>门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。</p><p>每一个功率器件都需要一个门