提供《ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别》完整技术工程技术资料下载（归档大小 67 K），包含相关硬件原理图参考、开发文档或源代码工程。
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别
资料详细技术说明
EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要 EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。
其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是
1。EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。
相关技术资料推荐
下载与解压说明
下载积分规则
- 本资源下载仅需 2 积分
- 24 小时内重复下载免扣积分
- VIP 会员享专属免积分高速通道
文件解压指南
- 推荐使用 7-Zip 或新版 WinRAR 解压
- 原理图与 PCB 请使用对应 EDA 软件打开
- 压缩包内源码可直接在上方在线预览
免费获取积分
- 新用户注册即赠送 10 积分
- 上传分享工程资料可获得持续积分奖励
- 查看积分规则与会员权益 →