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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...

📅 👤 88mao
CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源

当光照较弱时漏电电阻对光电流的影响较小，而对开路电压的影响较大 当光照较强时，二极管电流远大于漏电电流，此时并联电阻对光电池影响较小，串联电阻对开路电压机会没有影响，但对短路电流影响很大。 所以要制备并联电阻较大但串联电阻较小的光电池，提高其填充因子FF。 砷化镓电池的旁路电阻大于1K，对输出特情基...

📅 👤 离殇
转换效率 太阳能 薄膜

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