恒流源（vCCS）的研究历经数十年，从早期的晶体管恒流源到现在的集成电路恒流源恒定电流在各个领域的广泛使用激发起人们对恒流源的研究不断深入和多样化。稳恒电流在加速器中的使用是加速器结构改善的一个标志。从早期的单一依靠磁场线圈到加入匀场环，到校正线圈的使用，束流输运系统的改进有效地提高了束流的品质，校正线圈是光刻于印制电路板上的导线圈，将其按照方位角放置在加速腔内，通电后，载流导线产生的横向磁场就可以起到校正偏心束流的作用。显然，稳定可调的恒流源是校正线圈有效工作的必要条件。针对现在加速粒子能量的提高，对校正线圈提出了新的供电需求，本文就这一需求研究了基于功率运算放大器的两种压控恒流源，为工程应用做技术储备。1设计思路用于校正线圈的恒流源供聚焦和补偿时使用输出功率不大，但要求调节精度高，稳定性好，纹波小。具体技术参数为：输出电流0~5A调节范围0.1~5.0A；调节精度5mA；负载电阻35；纹波稳定度优于1（相对5A）；基准电压模块型号为REFo1而常用作恒流电源的电真空器件稳定电流建立时间长，场效应管夹断电压高、击穿电压低恒流区域窄，因此，我们选取了体积小效率高电流调节范围宽的放大器恒流源作为研究方向实验基本的设计思路是通过电源板将市电降压、整流、滤波后送入高精度电压基准源得到直流电压，输入功率运算放大器，在输出端得到放大的电流输出，如图1所示。
标签： 运算放大器
上传时间： 2022-04-24
上传用户：xsr1983
一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器， 它提供标准接口并管理闪存， 使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。二． eMMC的优点eMMC目前是最当红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash 芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有哪个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技术改朝换代，包括70 纳米演进至50 纳米，再演进至40 纳米或30 纳米制程技术，手机客户也都要重新设计， 但半导体产品每1 年制程技术都会推陈出新， 存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 颗MCP上的概念，逐渐风行起来。eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash 芯片和控制芯片设计成1 颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash 兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。闪存Flash 的制程和技术变化很快，特别是TLC 技术和制程下降到20nm阶段后，对Flash 的管理是个巨大挑战，使用eMMC产品，主芯片厂商和客户就无需关注Flash 内部的制成和产品变化，只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了。这样可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间。eMMC可以很好的解决对MLC 和TLC 的管理， ECC 除错机制(Error Correcting Code) 、区块管理(BlockManagement)、平均抹写储存区块技术 (Wear Leveling) 、区块管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心优点在于生产厂商可节省许多管理NAND Flash 芯片的时间，不必关心NAND Flash 芯片的制程技术演变和产品更新换代，也不必考虑到底是采用哪家的NAND Flash 闪存芯片，如此， eMMC可以加速产品上市的时间，保证产品的稳定性和一致性。
标签： emmc
上传时间： 2022-06-20
上传用户：jiabin
基于Proteus仿真前言：本文详细介绍了DS18B20原理，并在后面举例说明了其在单片机中的应用，所举例子包含Proteus仿真电路图，源程序，程序注释详细清楚。1、DS18B20简介：DS18B20温度传感器是DALLAS公司生产的1-wire式单总线器件，具有线路简单，体积小的特点，用它组成的温度测量系统线路非常简单，只要求一个端口即可实现通信。温度测量范围在一55℃~+125℃之间，分辨率可以从9~12位选择，内部还有温度上、下限报警设置。每个DS18B20芯片都有唯一的序列号，所以可以利用多个DS18B20同时连接在同一条总线上，组成多点测温系统。但最多只能连接8个，如果数量过多，会使供电电源电压过低，从而造成信号传输的不稳定。2、DS18B20结构：如右图所示，DS18B20有三只引脚，VCC、DQ和GND。DQ为数字信号输入/输出端（DQ一般接控制器（单片机）的一个1/0口上，由于单总线为开漏所以需要外接一个4.7K的上拉电阻）；GND为电源地；VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位是产品类型标号，接着的48位是该DS1B20自身的序列号，最后8位是前面56位的CRC校验码（循环冗余校验码）。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。温度传感器可完成对温度的测量，以12位转化为例，用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供。
上传时间： 2022-07-02
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本书是一部介绍半导体集成电路和器件技术的专业书籍。其英文版在半导体领域享有很高的声誉．被列为业界最畅销的书籍之一，第五版的出版就是最好的证明。 本书的范围包括半导体工艺的每个阶段．从原材料制备到封装、测试以及传统和现代工艺。每章包含有习题和复习总结，并辅以丰富的术语表。本书主要特点是简洁明了，避开了复杂的数学理论．非常便于读者理解。本书与时俱进地加入了半导体业界的最新成果．可使读者了解工艺技术发展的最新趋势。本书可作为离等院校电子科学与技术专业和职业技术培训的教材，也可作为半导体专业人员的参考书。本版新增内容• 纳米技术• "绿色”工艺和器件• 300 mm 昆图 工艺• 新的制造技术提升• 下一代光刻技术
上传时间： 2022-07-16
上传用户：fliang
芯片制造技术-半导体抛光类技术资料合集：300mm硅单晶及抛光片标准.pdf6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf666化学机械抛光技术的研究进展.pdf化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc半导体-第十四讲-CMP.ppt半导体制程培训CMP和蚀刻.pptx.ppt半导体单晶抛光片清洗工艺分析.pdf半导体工艺.ppt半导体工艺化学.ppt抛光技术及抛光液.docx直径12英寸硅单晶抛光片-.pdf硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚.pdf硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf
上传时间： 2021-11-02
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半导体切片 保存到我的百度网盘 下载 芯片封装详细图解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片机张刀对切片质量的影响-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 内圆切片机设计.pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生产工艺介绍.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半导体集成电路(最终版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半导体晶体的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半导体材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰冻切片的制备.docx 23KB2019-10-08 11:29 半导体芯片制造技术4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半导体全制程介绍.doc 728KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半导体晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半导体工艺技术.ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半导体工业简介-简体中文...ppt 半导体清洗 新型半导体清洗剂的清洗工艺.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工艺提升中的半导体清洗技术.pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超声波清洗技术的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半导体制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半导体制造工艺第3章-清-洗-工-艺.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半导体制程培训清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半导体制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半导体清洗技术面临变革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆自动清洗设备.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆的污染杂质及清洗技术.pdf 412KB2019-10-08 11:29 半导体工艺-晶圆清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半导体第五讲硅片清洗(4课时).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半导体IC清洗技术.pdf 52KB2019-10-08 11:29 半导体IC清洗技术.doc 半导体抛光 直径12英寸硅单晶抛光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 抛光技术及抛光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚.pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半导体制程培训CMP和蚀刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半导体工艺化学.ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半导体工艺.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半导体单晶抛光片清洗工艺分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半导体-第十四讲-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化学机械抛光技术的研究进展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅单晶及抛光片标准.pdf 半导体研磨 半导体制造工艺第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半导体晶圆的生产工艺流程介绍.docx 18KB2019-10-08 11:29 半导体硅材料研磨液研究进展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半导体封装制程及其设备介绍.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半导体IC工艺流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半导体CMP工艺介绍.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半导体-第十六讲-新型封装.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半导体基础知识.pdf
上传时间： 2013-06-14
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模拟电子技术基础（第四版）课件 康华光主编 PPT格式
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光测原理和技术
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上传时间： 2013-07-11
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东光元器件样本
上传时间： 2013-06-14
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上海巨马电气 光电,接近,光纤,光幕,冷热金属检测 等传感器样本
上传时间： 2013-07-20
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