文中设计研制了一种新型的基于仿射变换模型的实时图像跟踪系统。本跟踪系统已经通过实践检验，能够稳定的、准确的、快速的跟踪目标。并且系统有很大的升级潜力，除了能够满足仿射变换跟踪的要求之外，还能适用于其他的一些算法，构成鲁棒性更强的图像跟踪系统。实践证明该跟踪系统性能优于经典的相关跟踪系统。
上传时间： 2013-10-12
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目前，被广泛使用的经典边缘检测算子有Sobel算子，Prewitt算子，Roberts算子，Log算子，Canny算子等等。这些算子的核心思想是图像的边缘点是相对应于图像灰度值梯度的局部极大值点。然而，当图像中含有噪声时这些算子对噪声都比较敏感，使得将噪声作为边缘点。由于噪声的干扰，不能检测出真正的边缘。一个拥有良好属性的的边缘检测算法是每个研究者的追求。利用小波交换的特点，设计了三次B样条平滑滤波算子。通过利用这个算子，对利用小波变换来检测图像的边缘进行了一定的研究和理解。
上传时间： 2013-10-13
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为了提高图像去噪效果，提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先将待去噪图像进行循环平移，使用Contourlet域HMT模型对平移后的图像进行降噪处理，然后将降噪后的图像进行循环反平移，最后将不同循环平移量下的降噪图像进行平均处理，以减少去噪后图像的失真。实验结果表明，该方法不仅可以提高降噪后图像峰值信噪比，而且可以提高降噪后图像的视觉效果。
标签： Contourlet Spinning Cycle HMT
上传时间： 2014-12-23
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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主要介绍场效应管H参数的模型
上传时间： 2014-01-09
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本文依据微波电磁场理论概述了微带铁氧体器件在毫米波频率下的工作模式, 探讨了毫米波微带铁氧体器件的电参数的设计考虑, 对从事毫米波微带铁氧体器件的研究, 提供了基本的设计模型, 以期引起进一步的探讨。
上传时间： 2013-10-07
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在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
上传时间： 2013-10-31
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采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。
上传时间： 2013-10-18
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定点乘法器设计(中文) 运算符： + 对其两边的数据作加法操作; A + B - 从左边的数据中减去右边的数据; A - B - 对跟在其后的数据作取补操作，即用0减去跟在其后的数据; - B * 对其两边的数据作乘法操作; A * B & 对其两边的数据按位作与操作; A & B # 对其两边的数据按位作或操作; A # B @ 对其两边的数据按位作异或操作; A @ B ~ 对跟在其后的数据作按位取反操作; ~ B << 以右边的数据为移位量将左边的数据左移; A << B $ 将其两边的数据按从左至右顺序拼接; A $ B
上传时间： 2013-12-17
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三极管代换手册下载 前言 使用说明 三极管对照表 A B C D E F G H K L M …… 外形与管脚排列图
上传时间： 2013-10-24
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