基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量
提出了一个考虑ＦＰ 效应的半导体材料参数测量方案。利用该方案可以在时域波形中，截取多个反射回峰，以提高材料参数提取的精确度。另外，考虑到多重反射对样品厚度的准确性要求较高，提出了一种有效的厚度优化方法。以ＧａＡｓ 为待测样品，利用上述方法精确提取了其折射率与消光系数谱. ...
半导体材料技术资料
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半导体材料（semiconductormaterial）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
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半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对...
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