S32K148 T-BOX快速入门CONTENTS: Get to know the S32K148 T-BOX Reference Design Board (RDB) S32K148 T-BOX RDB out-of-the-box setup Creating a new S32DS project for the S32K1xx MCU S32DS debugging basics Create a P&E debug configuration
上传时间： 2022-06-20
上传用户：jiabin
1，使用wireshark获取完整的UDP报文打开wireshark，设置监听网卡后，使用google chrome浏览器访问我腾讯微博的i http://p.t.qq.com/welcomeback.php？lv=1#！/ist/qqfriends/5/？pgv_ref-im.perinfo.pe rinfo.icon？ptlang-2052&pgv-ref-im.perinfo.perinfo.icon，抓得的UDP报文如图1所示。分析以上的报文内容，UDP作为一种面向无连接服务的运输协议，其报文格式相当简单。第一行中，Source port：64318是源端口号。第二行中，Destination port：53是目的端口号。第三行中，Length：34表示UDP报文段的长度为34字节。第四行中，Checksum之后的数表示检验和。这里0x表示计算机中16进制数的开始符，其后的4f0e表示16进制表示的检验和，把它们换成二进制表示为：0100 1111 0000 1110.从wireshark的抓包数据看出，我抓到的UDP协议多数被应用层的DNS协议应用。当一台主机中的DNS应用程序想要进行一次查询时，它构成了一个DNS查询报文并将其交给UDP，UDP无须执行任何实体握手过程，主机端的UDP为此报文添加首部字段，并将其发出。
上传时间： 2022-06-20
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0引言任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中，大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗，这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作，必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w，室温25℃时），必须保证1GBT的结温T，不超过其最大值Timar 50 ℃），因此必须采用适当的散热装置，将热量传导到外部环境。如果散热装置设计或选用不当，这些大功率器件因过热而损坏。为了在确定的散热条件下设计或选用合适的散热器，确保器件安全、可靠地工作，我们需进行散热计算。散热计算是通过计算器件工作时产生的损耗功率Pa、器件允许的结温T、环境温度T，求出器件允许的总热阻R，f-a）；：再根据Raf-a）求出最大允许的散热器到环境温度的热阻Rinf-）：最后根据Rbf-a）选取具有合适热阻的散热器。1 IGBT损耗分析及计算对于H型双极模式PWM系统中使用的1GBT模块，主要由IGBT元件和续流二极管FWD组成，它们各自发生的损耗之和就是IGBT本身的损耗。除此，加上1GBT的基极驱动功耗，即构成IGRT模块整体发生的损耗。另外，发生损耗的情况可分为稳态时和交换时。对上述内容进行整理可表述如下：
上传时间： 2022-06-21
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怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（ E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G）和发射极（ E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡，因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（ P-MOSFET ）的好坏。现在经常要检测MOS 管了，转几篇MOS 管的检测方法，以备随时观摩！用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断：在电脑上， MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管， 大部分都采用TO－220F 封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
上传时间： 2022-06-22
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1引言随着高r能永磁材料、电力电了技术、大规模集成电路和计算机技术的发展，永同步电机PMSMD）的应用领城不扩大。由于对电机控制性能的要求越来越高，因此如何建立有效的仿真模型越来受到人们的关注。本文在分析永司步电机数学模型的基础上，提出了一种PMSM控制系统建模的方法，在此仿真模型基础上，可以十分便捷地实现和验证控制算法。因此，它为分析和设计PMSM控制系统提供了有效的手段，也为实际电机控制系统的设计和调试提供了新的思路。2永磁同步电机的数学模型[]水磁同步电动机三相绕组分别为U.v.w，各相绕组平面的轴线在与转子轴垂直的平面上，三相绕组的电压回路方程如下；式中，U L，为各相绕组两端的电压14A为各相的线电流，中uoyow为相统组的总磁链，R为定子每相绕组的电阳：P为微外算子（d/at）.磁链方程为：
上传时间： 2022-06-22
上传用户：qingfengchizhu
摘要：通过分析三相脉宽调制（PWM）整流器在dq旋转坐标系下的数学模型，设计了具有前馈解祸控制的PWM整流器双闭环控制系统。根据系统对电流内环的控制要求设计电流比例积分（P）调节器，提出按闭环幅频特性峰值（M.）最小准则来确定调节器参数的方法；根据系统对电压外环的控制要永，采用模最佳整定法来设计电压PI调节器。最后对整个PWM整流器双闭环控制系统进行仿真，仿真结果验证了PI调节器设计的正确性。关键词：PWM整流器；双闭环；P1调节器；电流环；电压环
上传时间： 2022-06-22
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神经网络神经网络是指用大量的简单计算单元构成的非线性系统，它在一定程度上模仿了人脑神经系统的信息处理、存储和检索功能，是对人脑神经网络的某种简化、抽象和模拟。1943年心理学家McCulloch和数学家Pitts合作提出了神经元的数学模型M-P神经元模型，证明了单个神经元能执行逻辑功能，从此开创了神经科学理论研究的时代。M-P模型，是按照生物神经元的结构和工作原理构造出来的一个抽象和简化了的神经元模型。权重当输入进入神经元时，它会乘以一个权重。例如，如果一个神经元有两个输入，则每个输入都将具有分配给它的一个关联权重。随机初始化权重，并在模型训练过程中更新这些权重。偏置除了权重之外，另一个被应用于输入的线性分量被称为偏置。它被加到权重与输入相乘的结果中。添加偏置的目的是改变权重与输入相乘所得结果的范围。激活函数激活函数的主要作用是加入非线性因素，以解决线性模型表达能力不足的缺陷，在整个神经网络中至关重要。常用的激活函数有Sigmoid、Tanh、ReLU。
上传时间： 2022-06-24
上传用户：得之我幸78
任何一个实际系统由于内部和外部的各种原因，它的参数和外部干扰都有很大的不确定性，这将对系统性能造成严重的影响，为了降低这些不确定性因素引起的控制品质严重下降，同时，保证系统的跟踪性能和抗干扰性能不变，本文采用改进的鲁棒二自由度控制结构一分数阶干扰观测器，来消除摩擦、模型不确定性、测量噪声等的干扰，提高系统的抗干扰性和鲁林性。本文主要工作如下：（1）较为系统地介绍和分析了分数阶微积分的基本理论，对分数阶微积分的各种定义及其之间的转换进行了介绍。（2）介绍了二自由度控制结构以及传统整数阶干扰观测器的设计方法.（3）对分数阶Q滤，器的有理函数离散化、近似方法进行了详细的分析研究，给出不同方法下的仿真比较，研究表明采用改进的AL-Alaoui+CFE法时近似效果最好；对基于Oustaloup算法的分数阶Q滤波器的有理函数近似方法下，滤波器近似阶次的选择进行了详细推导验证。（4）选取扭矩实验系统这一典型的工业伺服系统为实验平台，采用分数阶干扰观测器结构来验证其对振动和干扰的有效抑制作用。仿真结果表明，通过与传统的P控制器相比，分数阶干扰观测器更能满足系统对快速性、普林稳定性和抗干扰性能的要求。总结全文，本文的创新点为：（1）对分数阶Q滤波器的Oustaloup曲线拟合近似方法中滤波器近似阶次的选择进行详细分析验证，给出最为合适的近似阶次.（2）以二惯性扭转实验系统为例，利用分数阶微积分理论知识设计出分数阶干扰观测器，更好地解决了普捧稳定性和干扰抑制能力的综合问题.
标签： 分数阶微积分
上传时间： 2022-06-25
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第一部分：什么是SPI SPI是一种在FPGA和其他芯片之间传输数据的简单有效的接口方式.SPI是允许一个器件同其他一个或多个器件进行通讯的简单接口。SPI是什么样的？首先让我们来看看两个芯片之间的S P 1接口是如何连接的。在两个芯片时间通讯时，SPl需要4条连线。正如你所看到的，他们是SCK，MISO，MOSI以及SSEL，其中一个芯片叫做主控芯片，另一个叫从芯片。SPI基础http://en.wikipedia.org/wiki/Serial_Peripheral Interface_Bus基本特点：1.同步2.串行3.全双工4·非即插即用5.一主多从更多细节：1，同步时钟有主控芯片产生，每个时钟传输一位数据2，数据在传输前，首先许要进行并转串，才能用一条线传输3，两条数据线，一条输入、一条输出4主从双方有关于SPI传输的先验知识，如比特顺序、数据长度等5，数据传输有主控芯片发起，每次只与一个从芯片通讯
上传时间： 2022-06-26
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本文的主要介绍了逆变器电路 DIY制作过程，并介绍了逆变器工作原理、逆变器电路图及逆变器的性能测试。本文制作的的逆变器（见图1）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。这里采用六反相器 CD4069构成方波信号发生器。电路中 R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容 C1充放电完成的。其振荡频率为 f=122RC.图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2 ×3.3 ×103x22 ×10-6-62.6Hz，最小频率min-12.2 x.3 x03x22 x0-6-48.0Hz由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。#p#场效应管驱动电路#e#
标签： 逆变器
上传时间： 2022-06-26
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