抑制△I 噪声一般需要从多方面着手, 但通过PCB 设计抑制△I 噪声是有效的措施之一。如何通过PCB 设计抑制△I 噪声是一个亟待深入研究的问题。在对△I 噪声的产生、特点、主要危害等研究的基础上, 讨论了辐射干扰机理, 重点结合PCB 和EMC 研究的新进展, 研究了抑制△I 噪声的PCB 设计方法。对通过PCB 设计抑制△I 噪声的研究与应用具有指导作用。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：时代电子小智
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
随着我国通信、电力事业的发展，通信、电力网络的规模越来越大，系统越来越复杂。与之相应的对交流供电的可靠性、灵活性、智能化、免维护越来越重要。在中国通信、电力网络中，传统的交流供电方案是以UPS或单机式逆变器提供纯净不间断的交流电源。由于控制技术的进步、完善，（N+X）热插拔模块并联逆变电源已经非常成熟、可靠；在欧美的通信、电力发达的国家，各大通信运营商、电力供应商、军队均大量应用了这种更合理的供电方案。与其它方案相比较，（N+X）热插拔模块并联逆变电源具有以下明显的优点。
上传时间： 2014-03-24
上传用户：alan-ee
当今电子系统如高端处理器及记忆体，对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战，是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率转换方案，应付以上提及的各项挑战。这些功率元件称为V•I晶片。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：yan2267246
TLC2543是TI公司的12位串行模数转换器，使用开关电容逐次逼近技术完成A/D转换过程。由于是串行输入结构，能够节省51系列单片机I/O资源；且价格适中，分辨率较高，因此在仪器仪表中有较为广泛的应用。 TLC2543的特点 （1）12位分辩率A/D转换器； （2）在工作温度范围内10μs转换时间； （3）11个模拟输入通道； （4）3路内置自测试方式； （5）采样率为66kbps； （6）线性误差±1LSBmax； （7）有转换结束输出EOC； （8）具有单、双极性输出； （9）可编程的MSB或LSB前导； （10）可编程输出数据长度。 TLC2543的引脚排列及说明 TLC2543有两种封装形式：DB、DW或N封装以及FN封装，这两种封装的引脚排列如图1，引脚说明见表1 TLC2543电路图和程序欣赏 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double sum_final1; double sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe}; void delay(unsigned char b) //50us { unsigned char a; for(;b>0;b--) for(a=22;a>0;a--); } void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) { P0=duan[a]|0x80; P2=wei[0]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[b]; P2=wei[1]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[c]; P2=wei[2]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[d]; P2=wei[3]; delay(5); P2=0xff; } uint read(uchar port) { uchar i,al=0,ah=0; unsigned long ad; clock=0; _cs=0; port<<=4; for(i=0;i<4;i++) { d_in=port&0x80; clock=1; clock=0; port<<=1; } d_in=0; for(i=0;i<8;i++) { clock=1; clock=0; } _cs=1; delay(5); _cs=0; for(i=0;i<4;i++) { clock=1; ah<<=1; if(d_out)ah|=0x01; clock=0; } for(i=0;i<8;i++) { clock=1; al<<=1; if(d_out) al|=0x01; clock=0; } _cs=1; ad=(uint)ah; ad<<=8; ad|=al; return(ad); } void main() { uchar j; sum=0;sum1=0; sum_final=0; sum_final1=0; while(1) { for(j=0;j<128;j++) { sum1+=read(1); display(a1,b1,c1,d1); } sum=sum1/128; sum1=0; sum_final1=(sum/4095)*5; sum_final=sum_final1*1000; a1=(int)sum_final/1000; b1=(int)sum_final%1000/100; c1=(int)sum_final%1000%100/10; d1=(int)sum_final%10; display(a1,b1,c1,d1); } }
上传时间： 2013-11-19
上传用户：shen1230
适用于51单片机的串口发n
上传时间： 2014-12-25
上传用户：qingzhuhu
89c51一种用N+1条线实现矩阵键盘
标签： 矩阵键盘
上传时间： 2014-12-26
上传用户：lhw888
常用主板I/O芯片简介
上传时间： 2013-11-10
上传用户：yupw24
PIC 单片机的组成习题解答 解答部分1. PIC 单片机指令的执行过程遵循着一种全新哈佛总线体系结构的原则，充分利用了计算机系统在程序存储器和数据存储器之间地址空间的相互独立性，取指过程和执行指令过程可以流水线操作同时进行。因此，当PIC 时钟频率为4MHZ时，执行一条非转移类指令需要4 个系统时钟周期，即1us,但其指令执行的真实时间应为2us(在执行n—1 条指令时取第n 条指令，然后执行第n 条指令)。所以选项B 正确2. 端口RE 共有3 个引脚RE0~RE2，它们除了用做普通I/O 引脚和第5~7 路模拟信号输入引脚外，还依次分别承担并行口读出/写入/片选控制端引脚。A． 对。读出/写入（REO~RE1）。B．错。同步串行的相关引脚与端口C 有关。C．错。通用异步/同步串行的相关引脚与端口C有关。D． 错。CCP模块的相关引脚也是与端口C有关。所以选项A正确。3. 上电延时电路能提供一个固定的72ms 上电延时，从而使VDD有足够的时间上繁荣昌盛到单片机合适的工作电压。所以选项B 正确。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：glxcl
各系列I/O型单片机使用手册 第一部份 单片机概论 1第一章 硬件结构 3简介3特性4技术特性4内核特性4周边特性5选择表6系统框线图7引脚分配8引脚说明10极限参数15直流电气特性16交流电气特性18EEPROM 交流电气特性18系统结构图19时序和流水线结构(Pipelining) 19程序计数器21堆栈23算术及逻辑单元 – ALU24MTP 程序存储器25结构25特殊向量26查表27查表程序范例28在线烧写30数据存储器31结构31通用数据存储器32专用数据存储器32
上传时间： 2013-10-15
上传用户：yimoney
