mos管门级驱动电阻计算
上传时间： 2013-12-19
上传用户：王楚楚
MOS管应用笔记
上传时间： 2013-12-09
上传用户：康郎
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
上传时间： 2014-08-01
上传用户：1109003457
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：文993
MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。
上传时间： 2013-12-09
上传用户：qlpqlq
通俗易懂的介绍MOS管和使用方法
上传时间： 2014-08-23
上传用户：woshinimiaoye
开关电源，电机驱动用MOS管：2SK2843
上传时间： 2013-10-27
上传用户：wsf950131
为满足型号HDLG808CW5W（工作电流低于5A）半导体激光器对低漂移，高精度的驱动器的需求，基于负反馈原理，将激光器的注入电流作为反馈量，实现电流的稳定控制，并给出相应的传递函数表达式。采用DC/DC变换电路对输入电压进行降压处理，解决了恒流源变换的效率偏低的问题。实际测试验证，驱动电流在0~5A内连续可调，电流纹波系数可达0.5%以下，电源变换效率可达80%以上。结果表明，该驱动器能够满足HDLG808CW5W型号半导体激光器的驱动需求。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：fengzimili
MOS管设计教程
上传时间： 2013-10-11
上传用户：海陆空653
IGBT驱动器驱动能力计算。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：wweqas
