CMOS功耗与功耗电容量计算
Texas Instruments (TI) reserves the right to make changes to its products or to discontinue any semi...
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MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相...
提高mos管的效率,MOS的损耗计算。...
ALtera FPGA CYCLONE系列的功耗计算工具,相信大家会用的着....
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