高压LDMOS功率器件的研究
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构,采用 Double RESURF技术和场板技术,耐压可达700 伏。...
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构,采用 Double RESURF技术和场板技术,耐压可达700 伏。...
随着人们对数据速率要求越来越高,直接导致无线 通信系统带宽的需求也在逐步增加,也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。2G、3G、4G技术的相继推出,使移动业务由单一形态逐渐过渡到可同时支持语音、数据和视频等多种业务并举的盛况。...
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...
GaN技术相比传统LDMOS的优势已经不必多说,这项技术在RF领域已经得到认可。更小尺寸、更高效能、更大功率和更宽带宽;这些优势都是LDMOS所不能比拟的。即便如此,目前GaN技术还是没有完全取代LDMOS。这是为什么呢?主要是三方面的原因限制了GaN技术产品的普及。第一就是成本,与传统LDMOS相...
一些常用电路的原理介绍 检波电路 功率电平自动控制电路 增益告警电路 驻波比测量或反射功率告警电路 电流告警电路 LDMOS管工作电流补偿电路 栅压告警电路 温度告警电路...