ldmos
共 9 篇文章
ldmos 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 9 篇文章，持续更新中。
一些常用电路的原理介绍
一些常用电路的原理介绍
检波电路
功率电平自动控制电路
增益告警电路
驻波比测量或反射功率告警电路
电流告警电路
LDMOS管工作电流补偿电路
栅压告警电路
温度告警电路
高压LDMOS功率器件的研究
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用 Double RESURF技术和场板技术，耐压可达700 伏。
简述4G小基站用LDMOS功放
随着人们对数据速率要求越来越高，直接导致无线 通信系统带宽的需求也在逐步增加，也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。2G、3G、4G技术的相继推出，使移动业务由单一形态逐渐过渡到可同时支持语音、数据和视频等多种业务并举的盛况。
MACOM 高功率GaN产品组合
GaN技术相比传统LDMOS的优势已经不必多说，这项技术在RF领域已经得到认可。更小尺寸、更高效能、更大功率和更宽带宽;这些优势都是LDMOS所不能比拟的。即便如此，目前GaN技术还是没有完全取代LDMOS。这是为什么呢?主要是三方面的原因限制了GaN技术产品的普及。第一就是成本，与传统LDMOS相比GaN的成本较高;目前可用的商用GaN主要还是基于较高成本的SiC基板。第二个原因就是供应链的可靠
射频与微波晶体管功率放大器工程_张玉兴教授
<p> 成电张玉兴教授的专门阐述射频功率放大器的书籍，结合工程实践较为多些，阐述了LDMOS线性功放设计，</p><p>及传统功率合成的方法以及比较流行的Doherty功放的设计都有所涉及，在国内射频类书籍里算是结合工程实践较为多的一本书。</p>
高效率E类射频功率振荡器的设计
<span id="LbZY">主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法，通过电路等效变换，E类射频功率振荡器最终转换成与E类放大器相同的结构，MOS管工作在软开关状态，漏极高电压、大电流不会同时交叠，大大降低了功率损耗，在同等工作条件下，能够获得与E类放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做为功率器件，结合E类射频振荡器在等离子体源中的应用，给出了的设计实例。ADS仿真结果
飞思卡尔使用新型Airfast RF功率解决方案
过去，RF功率的性能完全取决于线性效率。如今，开发者遇到更加复杂的挑战：需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题，飞思卡尔半导体(NYSE：FSL)日前推出新型硅片RF LDMOS功率晶体管Airfast RF功率解决方案，将性能和能效提升至新的高度。飞思卡尔通过新的产品系列解决了这种模式转变带来的问题，该产品系列基于一种更加全面、完整的系统级RF功率技术方法。
基于ADS高效率微波功率放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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