ldmos
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ldmos 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 2 篇文章，持续更新中。
基于ADS高效率微波功率放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/