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CGS技术,即晶体管-栅极-源极结构,在现代电子设计中扮演着至关重要的角色。它不仅广泛应用于放大器、开关电路及信号处理等领域,还为高性能集成电路的设计提供了坚实的基础。通过深入研究CGS相关资源,工程师们可以更好地理解其工作原理与优化方法,从而在射频通信、电源管理等关键项目中实现突破性进展。探索我们的5个精选案例,开启您的创新之旅!

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MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此...

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开通过程[ t0 ~ t4 ]: -- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止状态,t0 时,MOSFET 被驱动开通; -- [t0-t1]区间,MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升,在t1 时刻,到达维持电压Vth,MOSFET 开始导电; ...

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