cgs
共 7 篇文章
cgs 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 7 篇文章，持续更新中。
精通开关电源设计
精通开关电源设计，英文原版书，
第1章 开关电源的基本原理 1
1.1 简介 1
1.2 概述和基本术语 3
1.2.1 效率 3
1.2.2 线性调整器 4
1.2.3 通过使用开关器件提高效率 6
1.2.4 半导体开关器件基本类型 7
1.2.5 半导体开关器件并非理想器件 8
1.2.6 通过电抗元件获得高效率 8
1.2.7 早期RC型开关调整器 9
1.2.8
MOS管的米勒效应-讲的很详细
<p>MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
Fuel+Cell+Micro-grids
The solid high-polymer-film-type fuel cell (PEM-FC) system is used as the power<br />
supply equipment for transportation and replaces an internal combustion engine. A<br />
reduction of the environme
cgs matlab程序
cgs matlab程序,自己编写的，用于求解非对称方程组
本程序适用于Gps坐标系和北京54或西安坐标系的转换
本程序适用于Gps坐标系和北京54或西安坐标系的转换，也可以应用与Gps坐标系和Cgs2000坐标系的坐标转换。
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
功率MOSFET的开通和关断原理
开通过程[ t0 ~ t4 ]：<br />
-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通；<br />
-- [t0-t1]区间，MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升，在t1 时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电；<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177