📚 N沟道技术资料

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怎样判断IGBT MOS管的好坏?怎么检测它的引脚?IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡,用万用表测量时, 若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大, 则...

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TMC5160将强大的步进电机驱动器和运动控制器集成在一块芯片上,将数字信息直接转换为平滑,精确,可靠的物理运动。外扩N沟道MOSFETs,每个线圈的电机电流可达20A,最大电压60V DC;使用起来...

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ID 型号厂家用途构造沟道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 东芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 ...

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MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。...

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