LTC®5567 是一款宽带混频器，专为在 300MHz 至4GHz 频段中实现高性能而设计和优化。为了创建非常紧凑的电路实现方案
上传时间： 2013-11-18
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N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
上传时间： 2013-11-12
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变速恒频风力发电系统控制方案的分析与比较
上传时间： 2013-11-03
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随着功率开关器件的发展，电力电子装置日益小型化和高频化，电气性能大幅提高，但是随之产生的高次谐波却对电网造成严重污染。在电力电子设备中，整流器(AC／DC变流器)占有较大的比例，是主要的污染源。由于固态感应加热电源对于电网呈现非线性特性，从电网中输出的电流就不是标准的正弦曲线。高频谐波电流对电力设施产生过热或其他危害。 Boost电路应用到功率因数校正方面已经较为成熟，对于几百瓦小功率的功率因数校正，常规的电路是可以实现的。但是对于大功率诸如感应加热电源，还存在很多的实际问题。为了解决开关器件由于二极管反向恢复时产生的冲击电流而易损坏的情况，减少开关器件在高频下的开关损耗，本文采用一种无源无损缓冲电路取代传统的LC滤波电路。在分析了软开关电路的工作原理以及逆变模块的分时-移相功率控制策略后，应用Matlab软件进行了仿真，并通过实验结果验证了理论分析的正确性。
上传时间： 2014-12-24
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设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2～3 GHz频段内的损耗小于1．35 dB，其功率合成效率高达76 以上，适合多模多频段射频前端的应用。
上传时间： 2014-12-24
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电力线载波通讯是一种低价方便、并可免除装设专用通信线路的通信技术, 文中介绍了利用Chirps 扫描频率进行载波的扩频通讯技术和CEBUS 总线的有关协议, 给出了由SSC P300 芯片构成的电力线载波通讯电路在电表自动抄收系统中的应用设计实例。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：hanwu
研究了基于双频的三相桥式逆变器拓扑结构，该拓扑由两个传统的三相桥式逆变器级联而成，其中一个工作在低频状态，另一个工作于高频状态，两单元功能相对分离。对高频单元采用单周控制，对低频单元采用电流滞环控制，利用Matlab/Simulink建立了仿真模型。仿真结果表明，该拓扑对降低开关损耗、电流总谐波畸变率、提高系统响应速度具有很好的作用。
上传时间： 2014-11-27
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定频定压（CVCF）不断电系统专案报告
上传时间： 2013-11-16
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
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提出一种用于光伏发电系统与公用电网并网的逆变器定频滞环电流控制新方法, 该方法首先基于电网线电压空间矢量将复平面分为6 个扇区, 在每个扇区内实现两相开关解耦分别控制相应的线电流; 然后, 在控制相的下一个线电流误差周期到来时, 计算并调节下一周期的滞环宽度以达到定频滞环电流跟踪, 改善输出电流波形, 提高控制精度。该方法的主要特点是不需要额外的模拟电路便可以实现开关频率的稳定。利用Matlab 进行建模, 仿真结果证明了该方法对稳定滞环开关频率是有效的, 同时也表明该方法应用于光伏并网逆变器是可行的。
上传时间： 2013-10-28
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