详解MOSFET驱动设计
详解MOSFET驱动设计,在网络上下载的一篇介绍MOSFET驱动设计的文章,调试MOSFET驱动时参考不错!...
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从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。...
附件是Semihow MOS 管的选型手册,Semihow 是一家韩国品牌,品质跟Fairchild(仙童)相同,但价格却优于仙童的一家品牌,如有需求MOS的朋友请联系我,电话:021-54262182 EXT 114 (Eric)QQ:1187337351...
mosfet based inverter effect...
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了....