从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。
资源简介:从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。
上传时间: 2014-12-23
上传用户:xiaohanhaowei
资源简介:CAXA制造工程师实体造型生成曲面的数控加工进退刀方法的探讨
上传时间: 2013-07-01
上传用户:eeworm
资源简介:本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外,对功率MOSFET在兆...
上传时间: 2013-11-22
上传用户:lijinchuan
资源简介:分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间: 2014-01-25
上传用户:hz07104032
资源简介:结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了...
上传时间: 2013-11-14
上传用户:dongqiangqiang
资源简介:最新功率半导体器件应用技术
上传时间: 2013-05-23
上传用户:eeworm
资源简介:大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
上传时间: 2013-04-15
上传用户:eeworm
资源简介:最新功率半导体器件应用技术
上传时间: 2013-07-09
上传用户:eeworm
资源简介:专辑类-开关电源相关专辑-119册-749M 最新功率半导体器件应用技术-259页-3.4M.pdf
上传时间: 2013-06-06
上传用户:czh415
资源简介:专辑类-开关电源相关专辑-119册-749M 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.pdf
上传时间: 2013-06-22
上传用户:jiachuan666
资源简介:专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 最新功率半导体器件应用技术-259页-3.4M.pdf
上传时间: 2013-04-24
上传用户:xiaowei314
资源简介:功率MOSFET的驱动电路和保护技术
上传时间: 2013-10-22
上传用户:wutong
资源简介:深入理解理解功率MOSFET的RDSON
上传时间: 2013-10-12
上传用户:zjwangyichao
资源简介:Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252DPAK封装
上传时间: 2013-11-09
上传用户:immanuel2006
资源简介:白光LED驱动器-在串联及并联应用之比较.
上传时间: 2014-01-25
上传用户:lx9076
资源简介:功率MOSFET知识介绍.pdf 功率MOSFET知识介绍.pdf
上传时间: 2014-01-13
上传用户:manking0408
资源简介:0271、大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
上传时间: 2014-04-09
上传用户:wincoder
资源简介:实用电子技术专辑 385册 3.609G最新功率半导体器件应用技术 259页 3.4M.pdf
上传时间: 2014-05-05
上传用户:时代将军
资源简介:开关电源相关专辑 119册 749M最新功率半导体器件应用技术 259页 3.4M.pdf
上传时间: 2014-05-05
上传用户:时代将军
资源简介:开关电源相关专辑 119册 749M大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.pdf
上传时间: 2014-05-05
上传用户:时代将军
资源简介:该文档为OP07功率放大器的应用实践简介资料,讲解的还不错,感兴趣的可以下载看看…………………………
上传时间: 2021-10-16
上传用户:tqsun2008
资源简介:该文档为电动汽车先进功率半导体模块应用解决方案总结文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
上传时间: 2021-12-08
上传用户:lostxc
资源简介:MOSFET并联使用介绍了并联使用的注意事项,特别注意避开Vgsth zero thermal coefficient以下的正温特性设计
上传时间: 2022-02-28
上传用户:bluedrops
资源简介:本书主要阐述设计射频与微波功率放大器所需的理论、方法、设计技巧,以及将分析计算与计算机辅助设计相结合的优化设计方法。这些方法提高了设计效率,缩短了设计周期。本书内容覆盖非线性电路设计方法、非线性主动设备建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗变换器...
上传时间: 2013-04-24
上传用户:W51631
资源简介:摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行...
上传时间: 2013-11-10
上传用户:wfeel
资源简介:交流电源供电方式正在由集中式向分布式、全功能式发展,而实现分布式电源的核心就是模块的并联技术。多台逆变器并联可以实现大容量供电和冗余供电,可大大提高系统的灵活性,使电源系统的体积重量大为降低,同时其主开关器件的电流应力也可大大减少,从根本上...
上传时间: 2013-08-05
上传用户:huangzr5
资源简介:交流电源供电方式正在由集中式向分布式、全功能式发展,而实现分布式电源的核心就是模块的并联技术。多台逆变器并联可以实现大容量供电和冗余供电,可大大提高系统的灵活性,使电源系统的体积重量大为降低,同时其主开关器件的电流应力也可大大减少,从根本上...
上传时间: 2013-08-05
上传用户:ccclll
资源简介: 本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。 前段时间,一同学跟我说,他用单片机做了一个简单的 LED 台灯,用 PWM的方式控制灯的亮度,但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一,我问他3V 时 LED 的发光电流是多大,他说大概十几到二...
上传时间: 2013-11-01
上传用户:ZJX5201314
资源简介:MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错...
上传时间: 2022-06-20
上传用户:hbsun
资源简介:IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用.IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。但是,IGBT和其它电力电子器件一样,其...
上传时间: 2022-06-21
上传用户:woyaotandang