MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.
1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能
力没有IGBT强。
2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT
硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是
九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.
3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频
逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,
电镀电解电源, 超音频感应加热等领域
开关电源 (Switch Mode Power Supply ;SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率
半导体器件的选择,即开关管和整流器。
虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但针对特定SMPS应
用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的
参考作用。
本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开
关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损
耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET
或 IGBT 导通开关损耗的主要因素, 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。
导通损耗
除了IGBT的电压下降时间较长外, IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类
似。由基本的IGBT等效电路(见图1)可看出,完全调节PNP BJT集电极基极
区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾( voltage tail )出现。
资源简介:mosfet和igbt内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于mosfet的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有igbt强。2,igbt 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前igbt硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错...
上传时间: 2022-06-21
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资源简介:CAXA制造工程师实体造型生成曲面的数控加工进退刀方法的探讨
上传时间: 2013-07-01
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上传时间: 2013-04-24
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资源简介:主要测试fork和vfork区别的代码 比较简单,但是能说明很多问题 读者可以尝试对文件描述符的的共享特性进行测试 还有vfork死锁问题的特性进行测试
上传时间: 2016-02-29
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资源简介:开关电源常用的cmos管和igbt,很实用,对于选管很有用处
上传时间: 2013-12-01
上传用户:weiwolkt
资源简介:本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基igbt结...
上传时间: 2021-11-02
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上传时间: 2021-11-07
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资源简介:该文档为各种功率半导体器件和igbt电路符号总结文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
上传时间: 2021-12-16
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资源简介:该文档为FPGA和ARM和STM32和DSP区别总结文档,是一份不错的参考资料,感兴趣的可以下载看看,,,,,,,,,,,,,,,,,
上传时间: 2022-08-09
上传用户:canderile
资源简介:FD2501 是一个高电压、高速栅极驱动器,能够驱动N型功率mosfet和igbt。内置欠压保护功能,防止功率管在过的电压下工作。
上传时间: 2019-01-29
上传用户:风梭@6
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上传时间: 2021-11-24
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上传时间: 2022-03-10
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上传时间: 2022-06-19
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上传时间: 2013-10-12
上传用户:yuzsu
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上传时间: 2021-11-07
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上传时间: 2022-06-22
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上传时间: 2022-06-22
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上传时间: 2022-04-10
上传用户:jiabin
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上传时间: 2022-06-18
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