📦 MOSFET和IGBT区别 - 免费下载

MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.

1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能

力没有IGBT强。

2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT

硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是

九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.

3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频

逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,

电镀电解电源, 超音频感应加热等领域

开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率

半导体器件的选择，即开关管和整流器。

虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应

用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的

参考作用。

本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开

关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损

耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET

或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。

导通损耗

除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类

似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极

区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。

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