单相全桥SPWM逆变器的研究
建立了单相全桥电压型SPWM(Sinusoidal Pulse-width modulation,正弦脉宽调制)逆变器的数学模型,分析了设置死区时系统中IGBT(Insulated –Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双...
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建立了单相全桥电压型SPWM(Sinusoidal Pulse-width modulation,正弦脉宽调制)逆变器的数学模型,分析了设置死区时系统中IGBT(Insulated –Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双...
介绍一种采用非透明PCI-PCI桥(Dec21554)的PCI插卡。重点介绍非透明PCI-PCI桥和透明 PCI-PCI桥的异同点,非透明 PCI-PCI桥的使用方法及其地址翻译原理等。
PCI-PCI 桥启动时,一般需要从EEPROM预读取配置数据。更改EEPROM中的数据一般需要专用的烧结器,这给调试过程带来不便,尤其是采用表贴封装的EEPROM。本文以Intel 公司的Dec21
单芯片 USB 转 UART 数据转换器- 集成的 USB 收发器无需外部电阻- 集成的时钟无需外部振荡器- 集成的 512 字节 EEPROM 用于为供应商代码产品代码序列号
MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管的电流.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 1.3M20...
设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、...
所谓的自举升压原理就是,在输入端IN输入一个方波信号,利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平,这样就可以在B端输出一个与输入信号反相,且高电平高于VDD的方波信号。
在电源系统中,MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号,以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻,所以就需要增加智能保护功能以