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单相全桥SPWM逆变器的研究 - 资源详细说明
建立了单相全桥电压型SPWM（Sinusoidal Pulse-width modulation，正弦脉宽调制）逆变器的数学模型，分析了设置死区时系统中IGBT(Insulated –Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)的通断状态，用MATLAB/Simulink中的基础模块模拟逆变器的工作状态、死区效应、死区补偿和控制系统，用数学分析和实验波形对仿真结果进行了验证。该方法可用于揭示逆变器的死区效应、补偿效果和控制系统的静、动态响应
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