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MOS—FET

  • 基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

    基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

    标签: MOS N沟道 H桥驱动 电路设计

    上传时间: 2014-08-01

    上传用户:1109003457

  • MOS管驱动电路总结

    下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。

    标签: MOS 驱动电路

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:文993

  • MOS管驱动基础和时间功耗计算

    MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出,因此等效值由于Vds电压要比原来大很多,这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的,我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。

    标签: MOS 驱动 功耗计算

    上传时间: 2013-12-09

    上传用户:qlpqlq

  • N沟道MOS管和P沟道MOS管

    通俗易懂的介绍MOS管和使用方法

    标签: MOS N沟道

    上传时间: 2014-08-23

    上传用户:woshinimiaoye

  • 开关电源,电机驱动用MOS管:2SK2843

    开关电源,电机驱动用MOS管:2SK2843

    标签: 2843 MOS 2SK SK

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:wsf950131

  • 高速MOS驱动电路设计和应用指南

    MOS设计应用指南

    标签: MOS 驱动 电路设计 应用指南

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:dave520l

  • MOS管驱动基础和时间功耗计算

    提高mos管的效率,MOS的损耗计算。

    标签: MOS 驱动 功耗计算

    上传时间: 2013-12-24

    上传用户:defghi010

  • 基于电源变压器的MOS场效应管逆变器的设计

    这里本站向大家介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。它的输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。

    标签: MOS 电源变压器 场效应管 逆变器

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:农药锋6

  • 关于PCB封装的资料收集整理.pdf

    关于PCB封装的资料收集整理. 大的来说,元件有插装和贴装.零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD 元件放上,即可焊接在电路板上了。晶体管是我们常用的的元件之一,在DEVICE。LIB库中,简简单单的只有NPN与PNP之分,但实际上,如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3,如果它是NPN的2N3054,则有可能是铁壳的TO-66或TO-5,而学用的CS9013,有TO-92A,TO-92B,还有TO-5,TO-46,TO-52等等,千变万化。还有一个就是电阻,在DEVICE 库中,它也是简单地把它们称为RES1 和RES2,不管它是100Ω 还是470KΩ都一样,对电路板而言,它与欧姆数根本不相关,完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W 和甚至1/2W 的电阻,都可以用AXIAL0.3 元件封装,而功率数大一点的话,可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下:电阻类及无极性双端元件:AXIAL0.3-AXIAL1.0无极性电容:RAD0.1-RAD0.4有极性电容:RB.2/.4-RB.5/1.0二极管:DIODE0.4及DIODE0.7石英晶体振荡器:XTAL1晶体管、FET、UJT:TO-xxx(TO-3,TO-5)可变电阻(POT1、POT2):VR1-VR5这些常用的元件封装,大家最好能把它背下来,这些元件封装,大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3 可拆成AXIAL 和0.3,AXIAL 翻译成中文就是轴状的,0.3 则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil(因为在电机领域里,是以英制单位为主的。同样的,对于无极性的电容,RAD0.1-RAD0.4也是一样;对有极性的电容如电解电容,其封装为RB.2/.4,RB.3/.6 等,其中“.2”为焊盘间距,“.4”为电容圆筒的外径。对于晶体管,那就直接看它的外形及功率,大功率的晶体管,就用TO—3,中功率的晶体管,如果是扁平的,就用TO-220,如果是金属壳的,就用TO-66,小功率的晶体管,就用TO-5,TO-46,TO-92A等都可以,反正它的管脚也长,弯一下也可以。对于常用的集成IC电路,有DIPxx,就是双列直插的元件封装,DIP8就是双排,每排有4个引脚,两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx 就是单排的封装。等等。值得我们注意的是晶体管与可变电阻,它们的包装才是最令人头痛的,同样的包装,其管脚可不一定一样。例如,对于TO-92B之类的包装,通常是1 脚为E(发射极),而2 脚有可能是B 极(基极),也可能是C(集电极);同样的,3脚有可能是C,也有可能是B,具体是那个,只有拿到了元件才能确定。因此,电路软件不敢硬性定义焊盘名称(管脚名称),同样的,场效应管,MOS 管也可以用跟晶体管一样的封装,它可以通用于三个引脚的元件。Q1-B,在PCB 里,加载这种网络表的时候,就会找不到节点(对不上)。在可变电阻

    标签: PCB 封装

    上传时间: 2013-11-03

    上传用户:daguogai

  • 双极型与MOS半导体器件原理_黄均鼐

    双极型与MOS半导体器件原理_黄均鼐.

    标签: MOS 双极型 半导体器件

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:hakim