RX-8801 SA Features built-in 32.768 kHz DTCXO, High Stability Supports l'C-Bus's high speed mode (400 kHz)Alarm interrupt function for day, date, hour, and minute settings Fixed-cycle timer interrupt function Time update interrupt function32.768 kHz output with OE function Auto correction of leap years Wide interface voltage range: 2.2 V to 5.5 V Wide time-keeping voltage range:1.8 V to 5.5 V Low current consumption: 0.84A/3V (Typ.)is an IC bus interface-compliant real-time clock which includes a 32.768 kHz DTCXO In addition to providing a calendar (year, month, date, day, hour, minute, second) function and a clock counter function, this module provides an abundance of other functions including an alarm function, fixed-cycle timer unction, time update interrupt function, and 32.768 kHz output function.The devices in this module are fabricated via a C-MOS process for low current consumption, which enables ong-term battery back-up.
上传时间： 2022-06-17
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
上传用户：wangshoupeng199
当前世界能源短缺以及环境污染问题日益严重，这些问题迫使人们改变能源结构，寻找新的替代能源。可再生洁净能源的开发愈来愈受到重视，太阳能以其经济、清洁等优点倍受青睐，其开发利用技术亦得以迅速发展，而光伏水泵成为其中重要的研究领域。本文针对采用异步电机作为光伏水泵驱动电机的光伏水泵系统，详细介绍了推挽DC/DC升压电路、DC/AC IPM模块逆变电路、及基于dsPIC30F2010的控制电路等，并制作了一台试验样机。同时围绕多种最大功率跟踪方法展开研究，设计了最大功率跟踪程序。论文的主要工作如下：1）设计了DC-DC推挽升压电路，并通过加入TPS2812改进了推挽功率MOS管的驱动电路；2）研究分析了光伏水泵系统最大功率跟踪控制，通过Matlab对多种MPPT方式进行了仿真，确定系统采用黄金分割法最大功率跟踪方式；3）采用SVPWM调制技术，实现了系统的稳定快速跟踪控制：4）采用IPM模块作为逆变器主电路，大大简化了逆变器驱动电路和保护电路设计，缩小了系统体积，提高了效率和系统的可靠性；5）采用徵芯公司的dsPIC20F2010作为主电路的控制核心，并设计了包括W"保护电路在内的外围电路和相关的软件；6）详细介绍了系统主电路各元件参量的选择和设计；7）在样机上进行了不同负载下的试验，给出了试验波形和效率测试结果，验证了本系统的可靠性和高效性。
上传时间： 2022-06-20
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摘要：对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析，对TLP250，EXB系列和M579系列进行了深入的讨论，给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图，还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项，对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验，通过有关的波形验证了它们的特点，最后得出结论：IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。关键词：绝缘栅双极晶体管：集成电路；过流保护1前言电力电子变换技术的发展，使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展.20世纪80年代，为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件，有人提出了绝缘门极双极型品体管（IGBT）[1].在IGBT中，用一个MoS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输，这藏产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件，它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源（UPS）和交流电机调速系统的设计中，它是日前最为常见的一种器件。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：jiabin
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中，电机控制器、辅助动力系统，电动空调中，IGBT有着广泛的使用，大功率IGB多应用于电机控制器中，由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大，IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中，在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升，可通过温度传感器来进行检测，并由相应的电路来实现保护；过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压，可通过采用缓冲电路来钳制，或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏1GBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中，保护功能设计得是否完善，对系统的安全运行尤其重要。
上传时间： 2022-06-22
上传用户：XuVshu
CCD（ Charge Coupled Device ）全称为电荷耦合器件，是70 年代发展起来的新型半导体器件。它是在MOS集成电路技术基础上发展起来的，为半导体技术应用开拓了新的领域。它具有光电转换、信息存贮和传输等功能，具有集成度高、功耗小、结构简单、寿命长、性能稳定等优点，故在固体图像传感器、信息存贮和处理等方面得到了广泛的应用。CCD图像传感器能实现信息的获取、转换和视觉功能的扩展，能给出直观、真实、多层次的内容丰富的可视图像信息，被广泛应用于军事、天文、医疗、广播、电视、传真通信以及工业检测和自动控制系统。实验室用的数码相机、光学多道分析器等仪器，都用了CCD作图象探测元件。一个完整的CCD器件由光敏单元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。CCD工作时，在设定的积分时间内由光敏单元对光信号进行取样，将光的强弱转换为各光敏单元的电荷多少。取样结束后各光敏元电荷由转移栅转移到移位寄存器的相应单元中。移位寄存器在驱动时钟的作用下，将信号电荷顺次转移到输出端。将输出信号接到示波器、图象显示器或其它信号存储、处理设备中，就可对信号再现或进行存储处理。由于CCD光敏元可做得很小（约10um），所以它的图象分辨率很高。
上传时间： 2022-06-23
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逻辑电平设计规范教材逻辑电平设计规范1、逻辑电平简介 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12、TTL器件和CMOS器件的逻辑电平 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32.1：逻辑电平的一些概念 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32.2：常用的逻辑电平 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42.3：TTL和CMOS的逻辑电平关系 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43、TTL和CMOS逻辑器件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63.1：TTL和CMOS器件的功能分类 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63.2：TTL和MOS逻辑器件的工艺分类特点 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73.3：TTL和CMOS逻辑器件的电平分类特点 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73.4：包含特殊功能的逻辑器件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.5：TTL和CMOS逻辑器件的选择 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93.6：逻辑器件的使用指南 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94、TTL、CMOS器件的互连 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .............
上传时间： 2022-06-23
上传用户：wangshoupeng199
高清晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析也已上传：http://dl.21ic.com/download/ic-330937.html 近年来电子电路的设计进入了以IC/LSl（集成电路/大规模集成电路）为中心的阶段。小小的管壳内凝缩了各种功能的IC/I.Sl给人们带来了极大的方便，可以说没有它就没有现代的电子电路。现在是IC的全盛时代。IC/LSI今后还将进一步集成周边部件及功能，使之规模更大、功能更强、性能更高。最近有这样的说法，虽然使用晶体管或FET（场效应晶体管）简单而方便，但是现在的趋势更倾向于使用IC。也有人感到专用IC的价格昂贵，但是不知道怎样才能把IC与晶体管、FET巧妙地组合起来获得性能更高的电路。诸如“用晶体管或（和）FET做成的分立电路最好”之类的说法并没有过时，只不过对于IC/1SI以及晶体管、FET构成的许多放大/开关器件来说，各自都有有效利用它们优点的使用方法。在这样的背景下，本书通过具体的实验，抓住晶体管、FET的工作图像，以达到灵活运用这些器件的目的。已经出版的本系列《晶体管电路设计（上）》一书中进行了以晶体管放大电路为中心的许多实验。本书是它的续编，将介绍有关FET放大电路、开关电路、模拟开关、振荡电路等方面的实验。本书若能对提高读者的电子电路的应用技能有所帮助，著者将深感荣幸。最后，对在本书的出版、发行过程中给予支持和帮助的有关各方面表示感谢。
上传时间： 2022-06-25
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近年来，随着电子技术的快速发展，使得低电压、大电流电路为未来主要发展趋势。低电压、大电流工作有利于提高工作电路的整体功率，但同时也给电路设计带来了新的问题。传统的变换器中常采用普通二极管或肖特基二极管整流方式，在低压、大电流输出的电路中，应用传统二极管整流的电路，其整流的损耗比较大，工作效率比较低。一般普通二极管的压降为1.0-1.3V，即便应用压降较低的肖特基二极管（SBD），产生压降一般也要有0.5V左右，从而使整流的损耗增加，电源的工作效率降低，己经不能满足现代开关电源高性能的需求。因此，应用同步整流（SR）技术可达到此要求，即应用功率MOS管代替传统的二极管整流。由于功率MOS管具有导通电阻很低、开关时间较短、输入阻抗很高的特点，很大程度的减少了开关功率MOS管整流时的损耗，使得工作效率有一个显著提高，因此功率MOS管以成为低压大电流功率变换器首选的整流器件。要想得到经济、高效的变换器，同步整流技术与反激变换器电路结合将会是一个很好的选择。反激变换器拓扑电路的优点是电路结构简单、输入与输出电气隔离、输入、输出工作电压范围较宽，可以实现多路的输出，因而在高电压、低电流的场合应用广泛，特别是在5~200W电源中一般采用反激变换器。
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-25
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本文的主要介绍了逆变器电路 DIY制作过程，并介绍了逆变器工作原理、逆变器电路图及逆变器的性能测试。本文制作的的逆变器（见图1）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。这里采用六反相器 CD4069构成方波信号发生器。电路中 R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容 C1充放电完成的。其振荡频率为 f=122RC.图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2 ×3.3 ×103x22 ×10-6-62.6Hz，最小频率min-12.2 x.3 x03x22 x0-6-48.0Hz由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。#p#场效应管驱动电路#e#
标签： 逆变器
上传时间： 2022-06-26
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