SP3413是一款输入耐压可达42V，7~32V输入电压条件正常工作，并且能够实现恒压以及恒流的同步降压型DC-DC控制器。SP3413内置功率MOS，可支持3.1A持续输出。输出2A时系统转换效率可达95%，并可完整支持100%占空比。 联系人：唐云先生（销售工程） 手机：13530452646(微信同号) 座机：0755-33653783 （直线） Q Q: 2944353362
标签： FP6601Q SP3413 QC3.0车充方案IC
上传时间： 2019-03-18
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IP6505 是一款集成同步开关的降压转换器、支持11种输出快充协议，为车载充电器、快充适配器、智能排插提供完整的解决方案。 IP6505 内置功率MOS，输入电压范围是4.5V到32V，输出电压范围是3V 到12V，最大能提供 24W 的输出功率，能够根据识别到的快充协议自动 调整输出电压和电流，典型输出电压和电流有： 4V@ 3.6A，5V@3.4A，7V@3A，9V@2.5A， 12V@2A。IP6505 的降压转换效率高至 97%。 联系人：唐云先生（销售工程） 手机：13530452646(微信同号) 座机：0755-33653783 （直线） Q Q: 2944353362
标签： IP6505 DCDC集成快充芯片
上传时间： 2019-03-18
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8310是一款内部集成了上、下MOS管的同步整流降压型高效率开关变换器，上、下管的规格分别为36V 耐压/360 mΩ内阻，36V耐压/170mΩ内阻。该变换器可以在4.5V~36V的宽输入电压范围内输出1.5A连续电流。内部采用了逐周期的峰值电流控制模式，使得芯片能够实现快速动态响应的要求。同时8310集成了线补，内部补偿电路，可设置的输出电流限流电路。CC/CV控制电路，保证了输出在恒压和恒流控制之间进行平滑的切换。外置可编程软起动时间电路可以很好的限制芯片启动时的输入启动冲击电流。 联系人：唐云先生（销售工程） 手机：13530452646(微信同号) 座机：0755-33653783 （直线） Q Q: 2944353362
上传时间： 2019-03-18
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SP1596是一款ESOP8封装DC-DC升压控制器，内建10A低内阻MOSFET，保证了转换器的高效率。 联系人：唐云先生（销售工程） 手机：13530452646(微信同号) 座机：0755-33653783 （直线） Q Q: 2944353362
标签： SP1223F 5V3.4A降压芯片
上传时间： 2019-03-25
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AEC-Q100 qualified • 12 V and 24 V battery systems compliance • 3.3 V and 5 V logic compatible I/O • 8-channel configurable MOSFET pre-driver – High-side (N-channel and P-channel MOS) – Low-side (N-channel MOS) – H-bridge (up to 2 H-bridge) – Peak & Hold (2 loads) • Operating battery supply voltage 3.8 V to 36 V • Operating VDD supply voltage 4.5 V to 5.5 V • All device pins, except the ground pins, withstand at least 40 V • Programmable gate charge/discharge currents for improving EMI behavior
标签： configurable Automotive pre-driver suitable channel systems MOSFET fully High side
上传时间： 2019-03-27
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SVPWM 宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变
标签： svpwm
上传时间： 2019-07-09
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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74HC595 A4950 MAX3232 ULN2003AD STM32F207VCT6 AD集成封装库，原理图库器件型号列表：Library Component Count : 53Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1N4148 High Conductance Fast Diode1N4448 High Conductance Fast Diode1N914 High Conductance Fast Diode1N914A High Conductance Fast Diode1N914B High Conductance Fast Diode1N916 High Conductance Fast Diode1N916A High Conductance Fast Diode1N916B High Conductance Fast Diode2N3904 NPN General Purpose Amplifier74ALS86 74HC595 8M贴片晶振 A4950 直流电机驱动AO4805CAP CapacitorCAP SMD CapacitorCON2 ConnectorCON2*10 ConnectorCON2*12P ConnectorCON2*7 ConnectorCON2*9 ConnectorCON3 ConnectorCON4 ConnectorCON5 ConnectorCON7 ConnectorCap Pol 极性电解电容DIODE DiodeFUSE1 FuseFUSE2 FuseINDUCTOR2 IRF7351PbF N-MOSJS1-12V-FLED MAX487 MAX809RD R0.125 Less than 1/4 Watt Power Resistor.RES2 RGRPI*4 Res1 ResistorSGM8955XN5G/TR 测量放大器SM712 SN74LV4052AD SP3232ESST25VF016B-50-4I-S2AFI2C Real-Time Clock.STM32F107VTC6 STM32F107VTC6SW DIP-4 编码开关SW-PB SwitchTPS54302 45UA静态电流 3ATVS SMBJ30CAULN2003 XC6214XTAL Crystal OscillatorPCB封装库列表：Component Count : 40Component Name-----------------------------------------------4G模块-外置7D181K0603-LED0603C0603R0805C12061210181232255569-2*1P直针5569-2*2P直针AT-26CAP-D8DO-214AANHSOP-8J-SPDT-5JTAGL
上传时间： 2021-11-15
上传用户：ttalli
文章中包含了MOS管开通和关断的详细过程，MOS管各参数之间的联系，损耗计算及驱动电路设计，非常利于MOS管学习的启蒙.
上传时间： 2021-12-05
上传用户：kent
反激式开关电源设计的初级侧部分，包括变压器，电容，电感，mos管，RCD缓冲电路，参数计算寄详细设计
标签： 反激式开关电源
上传时间： 2021-12-11
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