本资料是TI（德州仪器）推出的用于Xilinx和Altera FPGA的电源管理解决方案介绍。其主要内容包括：低失真调整器、步减控制器、集成FET转换器、低功率集成FET转换器等。
上传时间： 2013-11-07
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主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法，通过电路等效变换，E类射频功率振荡器最终转换成与E类放大器相同的结构，MOS管工作在软开关状态，漏极高电压、大电流不会同时交叠，大大降低了功率损耗，在同等工作条件下，能够获得与E类放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做为功率器件，结合E类射频振荡器在等离子体源中的应用，给出了的设计实例。ADS仿真结果表明，在13.56MHz的工作频率下，振荡器输出功率46W，效率为92%，符合设计预期。
上传时间： 2014-02-10
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本书是模拟集成电路设计课的一本经典教材。全书共分5个部分。主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识、基本MOS半导体制造工艺、CMOS技术、CMOS器件建模，MOS开关、MOS二极管、有源电阻、电流阱和电流源等模拟CMOS分支电路，以及反相器、差分放大器、共源共栅放大器、电流放大器、输出放大器等CMOS放大器的原理、特性、分析方法和设计，CM0S运算放大器、高性能CMOS运算放大器、比较器，开关电容电路、D／A和A／D变换器等CMOS模拟系统的分析方法、设计和模拟等内容。
上传时间： 2013-10-30
上传用户：笨小孩
Xilinx UltraScale™ 架构针对要求最严苛的应用，提供了前所未有的ASIC级的系统级集成和容量。 UltraScale架构是业界首次在All Programmable架构中应用最先进的ASIC架构优化。该架构能从20nm平面FET结构扩展至16nm鳍式FET晶体管技术甚至更高的技术，同 时还能从单芯片扩展到3D IC。借助Xilinx Vivado®设计套件的分析型协同优化，UltraScale架构可以提供海量数据的路由功能，同时还能智能地解决先进工艺节点上的头号系统性能瓶颈。 这种协同设计可以在不降低性能的前提下达到实现超过90%的利用率。 UltraScale架构的突破包括： • 几乎可以在晶片的任何位置战略性地布置类似于ASIC的系统时钟，从而将时钟歪斜降低达50% • 系统架构中有大量并行总线，无需再使用会造成时延的流水线，从而可提高系统速度和容量 • 甚至在要求资源利用率达到90%及以上的系统中，也能消除潜在的时序收敛问题和互连瓶颈 • 可凭借3D IC集成能力构建更大型器件，并在工艺技术方面领先当前行业标准整整一代 • 能在更低的系统功耗预算范围内显著提高系统性能，包括多Gb串行收发器、I/O以及存储器带宽 • 显著增强DSP与包处理性能 赛灵思UltraScale架构为超大容量解决方案设计人员开启了一个全新的领域。
标签： UltraScale Xilinx 架构
上传时间： 2013-12-23
上传用户：小儒尼尼奥
Verilog_HDL的基本语法详解（夏宇闻版）:Verilog HDL是一种用于数字逻辑电路设计的语言。用Verilog HDL描述的电路设计就是该电路的Verilog HDL模型。Verilog HDL既是一种行为描述的语言也是一种结构描述的语言。这也就是说，既可以用电路的功能描述也可以用元器件和它们之间的连接来建立所设计电路的Verilog HDL模型。Verilog模型可以是实际电路的不同级别的抽象。这些抽象的级别和它们对应的模型类型共有以下五种： 系统级（system）：用高级语言结构实现设计模块的外部性能的模型。 算法级（algorithm）：用高级语言结构实现设计算法的模型。 RTL级（Register Transfer Level）：描述数据在寄存器之间流动和如何处理这些数据的模型。 门级（gate-level）：描述逻辑门以及逻辑门之间的连接的模型。 开关级（switch-level）：描述器件中三极管和储存节点以及它们之间连接的模型。 一个复杂电路系统的完整Verilog HDL模型是由若干个Verilog HDL模块构成的，每一个模块又可以由若干个子模块构成。其中有些模块需要综合成具体电路，而有些模块只是与用户所设计的模块交互的现存电路或激励信号源。利用Verilog HDL语言结构所提供的这种功能就可以构造一个模块间的清晰层次结构来描述极其复杂的大型设计，并对所作设计的逻辑电路进行严格的验证。 Verilog HDL行为描述语言作为一种结构化和过程性的语言，其语法结构非常适合于算法级和RTL级的模型设计。这种行为描述语言具有以下功能： · 可描述顺序执行或并行执行的程序结构。 · 用延迟表达式或事件表达式来明确地控制过程的启动时间。 · 通过命名的事件来触发其它过程里的激活行为或停止行为。 · 提供了条件、if-else、case、循环程序结构。 · 提供了可带参数且非零延续时间的任务（task）程序结构。 · 提供了可定义新的操作符的函数结构（function）。 · 提供了用于建立表达式的算术运算符、逻辑运算符、位运算符。 · Verilog HDL语言作为一种结构化的语言也非常适合于门级和开关级的模型设计。因其结构化的特点又使它具有以下功能： - 提供了完整的一套组合型原语（primitive）; - 提供了双向通路和电阻器件的原语; - 可建立MOS器件的电荷分享和电荷衰减动态模型。 Verilog HDL的构造性语句可以精确地建立信号的模型。这是因为在Verilog HDL中，提供了延迟和输出强度的原语来建立精确程度很高的信号模型。信号值可以有不同的的强度，可以通过设定宽范围的模糊值来降低不确定条件的影响。 Verilog HDL作为一种高级的硬件描述编程语言，有着类似C语言的风格。其中有许多语句如：if语句、case语句等和C语言中的对应语句十分相似。如果读者已经掌握C语言编程的基础，那么学习Verilog HDL并不困难，我们只要对Verilog HDL某些语句的特殊方面着重理解，并加强上机练习就能很好地掌握它，利用它的强大功能来设计复杂的数字逻辑电路。下面我们将对Verilog HDL中的基本语法逐一加以介绍。
标签： Verilog_HDL
上传时间： 2014-12-04
上传用户：cppersonal
本资料是TI（德州仪器）推出的用于Xilinx和Altera FPGA的电源管理解决方案介绍。其主要内容包括：低失真调整器、步减控制器、集成FET转换器、低功率集成FET转换器等。
上传时间： 2015-01-01
上传用户：xz85592677
如今的开关稳压器和电源越来越紧凑，性能也日益强大，而越来越高的开关频率是设计人员面临的主要问题之一，正是它使得PCB的设计越来越困难。事实上，PCB版图已经成为区分好与差的开关电源设计的分水岭。本文针对如何一次性创建优秀PCB版图提出一些建议。考虑一个将24V降为3.3V的3A开关稳压器。设计这样一个10W稳压器初看起来不会太困难，设计人员可能很快就可以进入实现阶段。不过，让我们看看在采用Webench等设计软件后，实际会遇到哪些问题。如果我们输入上述要求，Webench会从若干IC中选出“Simpler Switcher”系列中的LM25576(一款包括3A FET的42V输入器件)。该芯片采用带散热垫的TSSOP-20封装。Webench菜单中包括了对体积或效率的设计优化。设计需要大容量的电感和电容，从而需要占用较大的PCB空间。Webench提供如表1的选择。
上传时间： 2013-10-08
上传用户：gtzj
本文将接续介绍电源与功率电路基板，以及数字电路基板导线设计。宽带与高频电路基板导线设计a.输入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器电路基板图26 是由FET 输入的高速OP 增幅器OPA656 构成的高输入阻抗OP 增幅电路，它的gain取决于R1、R2，本电路图的电路定数为2 倍。此外为改善平滑性特别追加设置可以加大噪讯gain，抑制gain-频率特性高频领域时峰值的R3。图26 高输入阻抗的宽带OP增幅电路图27 是高输入阻抗OP 增幅器的电路基板图案。降低高速OP 增幅器反相输入端子与接地之间的浮游容量非常重要，所以本电路的浮游容量设计目标低于0.5pF。如果上述部位附着大浮游容量的话，会成为高频领域的频率特性产生峰值的原因，严重时频率甚至会因为feedback 阻抗与浮游容量，造成feedback 信号的位相延迟，最后导致频率特性产生波动现象。此外高输入阻抗OP 增幅器输入部位的浮游容量也逐渐成为问题，图27 的电路基板图案的非反相输入端子部位无full ground设计，如果有外部噪讯干扰之虞时，接地可设计成网格状(mesh)。图28 是根据图26 制成的OP 增幅器Gain－频率特性测试结果，由图可知即使接近50MHz频率特性非常平滑，-3dB cutoff频率大约是133MHz。
标签： PCB
上传时间： 2013-11-09
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针对一般测温方法在进行流体多点温度测量时存在系统复杂，准确度和速度难以兼顾的问题，提出了一种基于温度-频率（T-F）变换的测量系统。该系统使用PIC18F6722单片机控制MOS管开关阵列，使多个测点的热敏电阻分别与TLC555构成振荡电路，将测点的温度变化转化为振荡频率的变化，使用8253计数芯片对TLC555的输出信号进行测量并产生中断，单片机读取8253计数值反演为测点温度。实验表明，测点数目增多不会增加测量系统的复杂程度，通过设置8253的计数初值，可以在不改变硬件的情况下灵活选择测量的准确度和速度，满足了流体多点精确快速测温的需求。同时该系统具备简洁实用，成本低的优点。
上传时间： 2013-10-23
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晶体管手册（共分17类大集合） 所有晶体管的详细参数 包括三极管，二极管，mos管等等
上传时间： 2013-12-09
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