【人邮出版社，2004，杨克俊编著】 本书系统介绍电磁兼容技术的基本知识、概念，以及国内、外电磁兼容技术标准，着重从工程实践角度阐述电磁兼容技术的原理、应用方法及应注意事项。全书共分10章，内容包括：屏蔽技术、滤波技术、接地技术、线路板设计、电缆设计、瞬态干扰抑制、电磁干扰诊断与解决技术以及在无线电通信系统和计算机系统中的EMC技术。 第8章 电磁干扰的诊断与解决技术
上传时间： 2013-06-27
上传用户：cjf0304
【人邮出版社，2004，杨克俊编著】 本书系统介绍电磁兼容技术的基本知识、概念，以及国内、外电磁兼容技术标准，着重从工程实践角度阐述电磁兼容技术的原理、应用方法及应注意事项。全书共分10章，内容包括：屏蔽技术、滤波技术、接地技术、线路板设计、电缆设计、瞬态干扰抑制、电磁干扰诊断与解决技术以及在无线电通信系统和计算机系统中的EMC技术。 第9章 无线电通信系统中的电磁兼容技术
上传时间： 2013-04-24
上传用户：changeboy
【人邮出版社，2004，杨克俊编著】 本书系统介绍电磁兼容技术的基本知识、概念，以及国内、外电磁兼容技术标准，着重从工程实践角度阐述电磁兼容技术的原理、应用方法及应注意事项。全书共分10章，内容包括：屏蔽技术、滤波技术、接地技术、线路板设计、电缆设计、瞬态干扰抑制、电磁干扰诊断与解决技术以及在无线电通信系统和计算机系统中的EMC技术。 第10章 计算机系统中的电磁兼容技术 附录A-F
上传时间： 2013-07-23
上传用户：xfbs821
华为无线产品培训部的内部材料[MA000004 GSM通信原理（BSC） ISSUE2.0]，介绍了GSM发展简史、GSM系统结构和相关接口、GSM的区域定义以及识别号、GSM的逻辑信道、GSM系统的主要技术等内容。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：dianxin61
·内容简介本书由浅入深、全面系统地介绍了DSP芯片的基本原理、开发和应用。首先介绍了目前广泛应用的DSP芯片的基本结构和特征，以及定点和浮点DSP处理中的一些关键问题；其次介绍了目前应用最广的TI DSP芯片中的TMS320C5000系列及其硬件结构、汇编指令和寻址方式；然后介绍了基于C和汇编语言的开发方法、芯片的开发工具及使用，重点介绍了CCS集成开发环境：较为详细地介绍了DSP系统的软硬件设计方
上传时间： 2013-04-24
上传用户：阿四AIR
实现4种常见波形正弦、三角、锯齿、方波（A、B）的频率、幅度可控输出（方波A的占空比也是可控的），可以存储任意波形特征数据并能重现该波形，还可完成各种波形的线形叠加输出。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：vendy
M AT L A B是一个可视化的计算程序，被广泛地使用于从个人计算机到超级计算机范围内 的各种计算机上。 M AT L A B包括命令控制、可编程，有上百个预先定义好的命令和函数。这些函数能通过 用户自定义函数进一步扩展。 M AT L A B有许多强有力的命令。例如， M AT L A B能够用一个单一的命令求解线性系统， 能完成大量的高级矩阵处理。 M AT L A B有强有力的二维、三维图形工具。 M AT L A B能与其他程序一起使用。例如， M AT L A B的图形功能，可以在一个 F O RT R A N 程序中完成可视化计
上传时间： 2013-04-24
上传用户：xinshou123456
产品设计越来越趋向小型化，功能多样化，并对 SI，EMC 设计要求更为苛刻（如产品需认证SISPR16 CALSS B），根据单板的电源、地的种类、信号密度、板级工作频率、有特殊布线要求的信号数量，适当增加地平面是PCB 的EMC 设计的杀手锏之一。单面板，双面板已不能够满足复杂PCB 的设计要求，本文以四层板举例，讲述四层板的设置和相关的一些设计技巧，文中的有些观点，建议因为水平有限，错误之处在所难免，还望大家不断批评、指正。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：龙飞艇
1) 全数字化设计，交流采样，人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示，数字输入。 4) 电容器控制方案支持三相补偿、分相补偿、混合补偿方案，可通过菜单操作进行设置。 5) 电容器投切控制程序支持等容/编码（1：2、 1：2：3、 1：2：4：8…）等投切方式。 6) 具有手动补偿/自动补偿两种工作方式。 7) 提供电平控制输出接口（+12V），动态响应优于20MS。 8) 取样物理量为无功功率，具有谐波测量及保护功能。 9) 控制器具有RS-485通讯接口，MODBUS标准现场总线协议，方便接入低压配电系统。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：dancnc
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
