电位计讯号转换器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1．产品说明 AT系列转换器/分配器主要设计使用于一般讯号迴路中之转换与隔离；如 4~20mA、0~10V、热电偶(Type K, J, E, T)、热电阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、电位计(三線式)、电阻(二線式)及交流电压/电流等讯号，机种齐全。 此款薄型设计的转换器/分配器，除了能提供两组讯号输出（输出间隔离）或24V激发电源供传送器使用外，切换式电源亦提供了安装的便利性。上方并设计了电源、输入及输出指示灯及可插拔式接线端子方便现场施工及工作状态检视。 2.产品特点 可选择带指拨开关切换，六种常规输出信号0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切换。 双回路输出完全隔离，可选择不同信号。 设计了电源、输入及输出LED指示灯，方便现场工作状态检视。 规格选择表中可指定选购0.1%精度 17.55mm薄型35mm导轨安装。 依据CE国际标准规范设计。 3.技术规格 用途：信号转换及隔离 过载输入能力：电流：10×额定10秒 第二组输出：可选择 输入范围：P1：0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ P2：0 Ω ~ 2.0 KΩ / ~ 100.0 KΩ 精确度: ≦±0.2% of F.S. ≦±0.1% of F.S. 侦测电压：1.6V 输入耗损: 交流电流:≤ 0.1VA; 交流电压:≤ 0.15VA 反应时间: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 输出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 满量程校正范围:≤ ±10% of F.S.，2组输出可个别调整 零点校正范围:≤ ±10% of F.S.，2组输出可个别调整 隔离:AC 2.0 KV 输出1与输出2之间 隔离抗阻：DC 500V 100MΩ 工作电源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (选购规格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作湿度: 20~95% RH, 无结露 温度系数: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 储存温度: -10~70 ºC 保护等级: IP 42 振动测试: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外观尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外壳材质: ABS防火材料，UL94V0 安装轨道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全规范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用规格：AT-PM1-P1-DN-ADL 电位计讯号转换器，一组输出，输入范围：0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ，输出一组输出4-20mA，工作电源AC/DC20-56V
上传时间： 2013-11-05
上传用户：feitian920
交流功率因数转换器 特点： 精确度0.25%满刻度 ±0.25o 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，稳定性高 主要规格： 精确度: 0.25% F.S. ±0.25°(23 ±5℃) 输入负载: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大过载能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2 x rated continuous 输出反应速度: < 250ms(0~90%) 输出负载能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 输出之涟波: < 0.1% F.S. 归零调整范围: 0~ ±5% F.S. 最大值调整范围: 0~ ±10% F.S. 温度系数: 100ppm/℃ (0~50℃) 隔离特性: Input/Output/Power/Case 绝缘抗阻: >100Mohm with 500V DC 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power/case) 突波测试: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV(1.2x50us) 使用环境条件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间： 2013-10-22
上传用户：thing20
交流频率转换器 特点： 精确度0.05%满刻度(Accuracy 0.05%F.S.) 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，稳定性高 2:主要规格 精确度: 0.05% F.S. (23 ±5℃) 输入负载: <0.2VA 最大过载能力:maximum 2 x rated continuous 输出反应时间: <250ms (0~90%) 输出负载能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 输出涟波: <0.1% F.S. 归零调整范围: 0~±5% F.S. 最大值调整范围: 0~±10% F.S. 温度系数: 50ppm/℃ (0~50℃) 隔离特性: Input/Output/Power/Case 绝缘抗阻: >100M ohm with 500V DC 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行动测试: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波测试: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用环境条件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间： 2013-10-11
上传用户：xzt
交流电压，电流转换器 特点： 精确度0.25%满刻度(RMS) 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，稳定性高 2:主要规格 精确度:0.25%F.S.(RMS) (23 ±5℃) 输入负载: <0.2VA(voltage) <0.2VA(current) 最大过载能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2x rated continuous 输出反应时间: <250ms (0~90%) 输出负载能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 输出涟波: <0.1% F.S. 归零调整范围: 0~±5% F.S. 最大值调整范围: 0~±10% F.S. 温度系数: 100ppm/℃ (0~50℃) 隔离特性: Input/Output/Power/Case 绝缘抗阻: >100Mohm with 500V DC 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行动测试: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波测试: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用环境条件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间： 2013-11-09
上传用户：非衣2016
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等，可以将直流电压小信号进行隔离放大（u/u）输出或直接转换为直流电流（u /i）信号输出。较大的输入阻抗（≥1 mω）,较强的带负载能力（电流输出＞650ω,电压输出≥2kω）能实现小信号远程无失真的传输。 ic内部可采用陶瓷基板、印刷电阻全smt的可靠工艺制作及使用新技术隔离措施，使器件能满足信号输入/输出/辅助电源之间3kv三隔离和工业级宽温度、潮湿震动等现场环境要求。外接满度校正和零点校正的多圈电位器可实现 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信号之间的隔离和转换。（精度线性高，隔离电压3000vdc）
上传时间： 2014-12-23
上传用户：392210346
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
schematic常用快捷键 x：检查并存盘 s：存盘 [：缩小 ]：放大 F：整图居中显示 u：撤销上一次操作 Esc：清楚刚键入的命令 c：复制 m：移动
上传时间： 2013-11-21
上传用户：王楚楚
本文叙述了研制的应用于VSAT卫星通信的Ku波段30W固态功率放大器(SSPA)。阐述了该固态功率放大器的方案构成和关键部分的设计，包括功率合成网络、微带．波导转换的设计；功率合成电路的设计，特别是波导魔T的优化设计。研制的30W固态功率放大器的主要性能为：中心频率14．25GHz，带宽500MHz，P．1dB输出功率30W，大信号增益45dB，带内波动小于5dB。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：robter
