为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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定点乘法器设计(中文) 运算符： + 对其两边的数据作加法操作; A + B - 从左边的数据中减去右边的数据; A - B - 对跟在其后的数据作取补操作，即用0减去跟在其后的数据; - B * 对其两边的数据作乘法操作; A * B & 对其两边的数据按位作与操作; A & B # 对其两边的数据按位作或操作; A # B @ 对其两边的数据按位作异或操作; A @ B ~ 对跟在其后的数据作按位取反操作; ~ B << 以右边的数据为移位量将左边的数据左移; A << B $ 将其两边的数据按从左至右顺序拼接; A $ B
上传时间： 2013-12-17
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第一章 基 础 知 识由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。1.1 电路与电路模型1.2 电路分析的基本变量1.3 电阻元件和独立电源元件1.4 基尔霍夫定律1.5 受 控 源1.6 两类约束和KCL，KVL方程的独立性1.1 电路与电路模型1.电路2.电路的形式与功能 电路的功能基本上可以分成两大类。一类是用来实现电能的转换、传输和分配。电路的另一类功能则是在信息网络中，用来传递、储存、加工和处理各种电信号。 图1-2所示的是通信网的基本组成框图。通常把输入电路的信号称为激励，而把经过电路传输或处理后的信号称为响应。 3.电路模型与集中电路 构成电路的设备和器件统称为电路部件，常用的电路部件有电池、发电机、信号发生器、电阻器、电容器、电感线圈、变压器、晶体管及集成电路等。 基本的电路参数有3个，即电阻、电容和电感。 基本的集中参数元件有电阻元件、电感元件和电容元件，分别用图1-3(a)，(b)和(c)来表示。
上传时间： 2013-10-20
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三极管代换手册下载 前言 使用说明 三极管对照表 A B C D E F G H K L M …… 外形与管脚排列图
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Allegro学习笔记之3—电源层、地层分割
上传时间： 2013-11-15
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allegro v16基础课程训练参考教程。图文并茂，对你学习allegro V16事半功倍
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allegro教程，给有需要的人士！
上传时间： 2014-10-30
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Allegro后仿真流程介绍
上传时间： 2014-11-26
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利用allegro进行仿真时的线路参数设置
上传时间： 2013-11-10
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在高速数字电路飞速发展的今天，信号的频率不断提高, 信号完整性设计在P C B设计中显得日益重要。其中由于传输线效应所引起的信号反射问题是信号完整性的一个重要方面。本文研究分析了高速PCB 设计中的反射问题的产生原因，并利用HyperLynx 软件进行了仿真，最后提出了相应的解决方法。
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