MOSFET和IGBT区别
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电...
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1引言现代电力电子学是研究用大功率半导体器件对电能进行变换与控制,达到节能、省材、高频、优化之目的。随着电力电子学的发展,工作频率已逐步由低频,向中频、高频方向发展。在电力电子学中,一般定义工作在40...
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以STC12C2052AD单片机芯片为控制核心,采用PID控制技术,设计了一套针对半导体封装设备超声波金丝球焊线机的焊接压力控制系统。使其具备了高精度、多参数设置、高灵敏度、用户界面友好以及系统成本低...
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