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8通道

  • Keil 8.08 +Proteus 7.1SP2 加联调补丁

    Keil 8.08 +Proteus 7.1SP2 加联调补丁,没有单片机开发板的XDJM可以用用,练练手

    标签: Proteus Keil 8.08 7.1

    上传时间: 2013-08-27

    上传用户:ddddddd

  • 一种用CPLD设计GPS数字通道相关器中C/A码产生嚣的方法

    摘要本文介绍了一种用CPLD设计GPS数字通道相关器中C/A码产生嚣的方法,详细分析了设计原理并给出了相应的仿真结果.这种设计方法已在我们研制的GPS,GLONASS兼容机中得到实际应用。

    标签: CPLD GPS 数字

    上传时间: 2013-09-01

    上传用户:wangdean1101

  • FPGA-CPLD_DesignTool(8-9-10)源代码

    FPGA-CPLD_DesignTool(8-9-10)源代码请需要的朋友下载

    标签: FPGA-CPLD_DesignTool 10 源代码

    上传时间: 2013-09-01

    上传用户:qw12

  • 这是proteus中的matrix8*8点阵模块动态仿真

    这是proteus中的matrix8*8点阵模块动态仿真,说得很详细,包含电路原理图,及源代码

    标签: proteus matrix 点阵模块 动态仿真

    上传时间: 2013-09-29

    上传用户:yxgi5

  • Proteus7.10专业版+Proteus7.8(破解 +汉化 )

    Proteus7.10专业版+Proteus7.8(破解 +汉化 )

    标签: Proteus 7.10 7.8 破解

    上传时间: 2014-03-26

    上传用户:liulinshan2010

  • 工业监控和便携式仪器的6通道SAR型ADC

    14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC,具有 6 個同時采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源,並具有 6 個獨立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個 ADC。

    标签: SAR ADC 工业监控 便携式

    上传时间: 2013-11-16

    上传用户:dbs012280

  • 实现UXGA解决方案的双通道AD9981设计准则

    借助AD9981,利用一种双芯片“乒乓”配置可以实现超过110 MHz的像素时钟速率。双芯片解决方案与交替像素采样解决方案的不同之处在于,前者可以维持全速刷新率。双通道AD9981设计有多种实现方式。本应用笔记旨在让用户了解在实现这种配置时需要考虑的因素。相关变量包括布局和路由限制、时钟选择、图形控制要求和最高速率要求等。

    标签: UXGA 9981 AD 方案

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:shinesyh

  • 实现UXGA解决方案的双通道AD9884A设计准则

    借助AD9884A,利用一种双芯片“乒乓”配置可以实现超过140 MHz的像素时钟速率。双芯片解决方案与交替像素采样解决方案的不同之处在于,前者可以维持全速刷新率。双通道AD9884A设计有多种实现方式。本应用笔记旨在让用户了解在实现这种乒乓配置时需要考虑的因素。相关变量包括布局和路由限制、时钟选择、图形控制要求和最高速率要求等。

    标签: 9884A UXGA 9884 AD

    上传时间: 2013-10-28

    上传用户:448949

  • 基于AD9959的高精度多通道雷达信号源设计

    现代相控阵雷达为了保证空间功率合成精度需要高精度的雷达信号,设计实现了一种以AD9959为核心的高精度多通道雷达信号源。信号源利用多片AD9959产生32路正弦波、线性调频以及相位编码等多种信号形式,并设计采用AD8302对多路信号的幅度和相位进行检测与调整。该信号源已应用实际工程中,现场实验结果表明,该信号源系统产生的高频信号频率稳定度高、相位幅度一致性好,完全满足对信号源的性能指标的要求。

    标签: 9959 AD 高精度 多通道

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:lo25643

  • COOLMOS_原理结构

    看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下: 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson就大了。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢?

    标签: COOLMOS

    上传时间: 2014-12-23

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