对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨。提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法。
上传时间： 2017-04-19
上传用户：shizhanincc
该参考设计使用隔离的IGBT栅极驱动器和隔离的电流/电压传感器实现了增强的隔离式三相逆变器子系统。所使用的UCC23513栅极驱动器具有6引脚宽体封装，带有光学LED模拟输入，因此可以用作现有光电隔离栅极驱动器的引脚到引脚替换。该设计表明，可以使用用于驱动光隔离栅极驱动器的所有现有配置来驱动UCC23513输入级。使用AMC1300B隔离放大器和直流母线电压进行基于同相分流电阻器的电机电流检测，使用AMC1311隔离放大器进行IGBT模块温度检测。该设计使用C2000™LaunchPad™进行逆变器控制。 特征 三相逆变器功率级，适用于200-480 VAC供电的驱动器，额定输出电流高达14 Arms 具有光电模拟输入和6引脚宽体封装的增强型隔离式栅极驱动器，可用作光电隔离式栅极驱动器的引脚到引脚替换 栅极驱动器具有高达125°C的宽工作环境温度，低参数变化，高CMTI和1500 Vdc的额定工作隔离电压，从而提高了系统的鲁棒性 基于增强的隔离式同相分流电阻器的所有三相电流检测高达25 Apk，过流保护响应<5μs 使用集成放大器的IGBT模块内部集成的NTC，增强型隔离式DC链路电压感应高达800 V，温度感应高达120°C 使用C2000 LaunchPad进行逆变器控制
上传时间： 2020-09-15
上传用户：
本文讲述了一种运用于功率型MOSFET 和IGBT 设计性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中
上传时间： 2013-04-24
上传用户：520
电动汽车用大功率IGBT智能驱动模块是电动汽车动力驱动装置的核心器件之一。产品广泛运用于各种电动汽车的电机驱动以及各种要求较高的大功率变频器等。由于传统汽车转换效率低下，且石油资源日益枯竭，加之全球温室效应的日趋严重，低碳经济已成为必然。电动汽车替代传统的燃油汽车已成为趋势。电动汽车和传统燃油汽车的主要区别在于动力驱动部分。电动汽车的动力驱动主要有动力电池、电机驱动控制器、电机构成。 大功率IGBT智能驱动模块是电机驱动控制器的核心组件之一。由于国内相关研发和产业相对比较落后，目前该产品都被国外少数企业所垄断。云南领跑科技有限公司以自主创新为基础，在借鉴国际先进技术的同时，充分发挥企业自有的技术优 ，大胆创新，采用流总线的DC/DC 隔离技术、无磁芯变压器隔离驱动技术和由小封装大功率功率晶体管阵列构成的IGBT栅极功率驱动单元，最终掌握创新了电动汽车用大功率IGBT 智能驱动模块的核心技术。目前该公司已经完成了该产品的设计和相关功率试验，技术指标完全达到了电动汽车的要求，达到了国际先进水平。该产品的成功研发将加快我国电动汽车行业的发展，打破国外企业长期以来对该产品的垄断局面。
上传时间： 2013-11-19
上传用户：15070202241
FD2501 是一个高电压、高速栅极驱动器，能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。内置欠压保护功能，防止功率管在过的电压下工作。
标签： Datasheet_V 20150818 HVIC-DS 2501 001 1.2 FD 发布
上传时间： 2019-01-29
上传用户：风梭@6
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。关于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了导通电阻很低，还通过采用4引脚封装使开关损耗降低了35%，对此我们非常感兴趣。此次，想请您以4引脚封装为重点介绍一下该产品。首先，请您大致讲一下4引脚封装具体是怎样的封装，采用这种封装的背景和目的是什么。首先，采用4引脚封装是为了改善SiCMOSFET的开关损耗。包括SiCMOSFET在内的电源开关用MOSFET和IGBT，被作为开关元件广泛应用于各种电源应用和电源线路中。必须尽可能地降低这种开关元件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用，其降低损耗的方法也不尽相同。作为其中的一种手法，近年来发布了一种4引脚的新型封装，即在MOSFET的源极、漏极、栅极三个引脚之外，另外设置了驱动器源极引脚。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通过采用最新的沟槽栅极结构，实现更低的导通电阻和传导损耗；通过采用4引脚封装，进一步发挥出SiC本身具有的高速开关性能，并降低开关损耗。那么，我想详细了解一下刚刚您的概述中出现的几个要点。首先，什么是“驱动器源极引脚”？驱动器源极引脚是应用了开尔文连接原理的源极引脚。开尔文连接是通过电阻测量中的4个引脚或四线检测方式，在电流路径基础上加上两条测量电压的线路，以极力消除微小电阻测量或大电流条件下测量时不可忽略的线缆电阻和接触电阻的影响的方法，是一种广为人知的方法。这种4引脚封装仅限源极，通过使连接栅极驱动电路返回线的源极电压引脚与流过大电流的电源源极引脚独立，来消除ID对栅极驱动电路的影响。
上传时间： 2021-11-07
上传用户：
测试IGBT，用于评估IGBT和驱动器的匹配效果。
上传时间： 2022-05-15
上传用户：wangshoupeng199
一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时，最好加一个负偏电压，且负偏电压比MOSFET 大， IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内；开通时，驱动电压最佳值为15V 10％ ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和，这时通态压降也比较低，同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ，则IGBT 通态损耗较大， IGBT 处于欠压驱动状态；若 VGE >20V ，则难以实现电流的过流、短路保护，影响 IGBT 可靠工作。2 栅极驱动功率的计算由于IGBT 是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT ，或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压，栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公式为：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f对一般情况 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，则 PAV 简化为： PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。栅极峰值电流 I GP 为：
上传时间： 2022-06-21
上传用户：
IGBT驱动器驱动能力计算。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：wweqas
QA03是专为需要两组隔离电源的IGBT驱动器而设计的DC－DC模块电源。其内部采用了两路独立输出后共接模式，可以更好的为IGBT的开通与关断提供能量。同时具有输出短路保护及自恢复能力。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：极客
