SiC双脉冲测试板资料
Cree公司生产的SiC MOSFET器件，型号C2M00802012D，在应用器件前需要进行双脉冲实验，实验中用到的主电路原理图（包括PCB文件），驱动和测试原理介绍提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式，可以直接交厂制作，不需修改。...
双脉冲测试技术资料
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双脉冲测试是评估功率半导体器件动态特性的关键方法，广泛应用于MOSFET、IGBT等开关性能分析。通过精确测量开通与关断过程中的电压电流变化，帮助工程师优化电路设计，提高系统效率与可靠性。本页面汇集了16716份精选资源，涵盖理论教程、实验案例及专业软件工具，助力您深入理解并掌握这一核心技术，加速产品研发周期。立即访问，开启您的高效学习之旅！
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测试IGBT，用于评估IGBT和驱动器的匹配效果。...
基于双极性脉冲电流技术的电阻层析
提出了一种利用双极性脉冲电流源作为激励源的电阻层析成像硬件系统设计的新原理,该方法削弱了采用常规直流激励源时带来的介质电极化效应。关键词:电阻测量;层析成像;传感器;两相流Ab...
脉冲反向积分发测试混响程序
脉冲反向积分发测试混响程序，数据应该为声压时间信号...
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