·实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用 466页
上传时间： 2013-07-27
上传用户：hechao3225
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：panpanpan
工业电机驱动中使用的电子控制必须能在恶劣的电气环境中提供较高的系统性能。电源电路会在电机绕组上导致电压沿激增现象，而这些电压沿则可以电容耦合进低电压电路之中。电源电路中，电源开关和寄生元件的非理想行为也会产生感性耦合噪声。控制电路与电机和传感器之间的长电缆形成多种路径，可将噪声耦合到控制反馈信号中。高性能驱动器需要必须与高噪声电源电路隔离开的高保真反馈控制和信号。在典型的驱动系统中，包括隔离栅极驱动信号，以便将逆变器、电流和位置反馈信号驱动到电机控制器，以及隔离各子系统之间的通信信号。实现信号隔离时，不得牺牲信号路径的带宽，也不得显著增加系统成本。光耦合器是跨越隔离栅实现安全隔离的传统方法。尽管光耦合器已使用数十年，其不足也会影响系统级性能。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：jhs541019
IGBT保护电路
上传时间： 2014-12-23
上传用户：lhw888
IGBT模块的研制 (从芯片解剖到参数测试)
上传时间： 2013-10-20
上传用户：edward_0608
为满足型号HDLG808CW5W（工作电流低于5A）半导体激光器对低漂移，高精度的驱动器的需求，基于负反馈原理，将激光器的注入电流作为反馈量，实现电流的稳定控制，并给出相应的传递函数表达式。采用DC/DC变换电路对输入电压进行降压处理，解决了恒流源变换的效率偏低的问题。实际测试验证，驱动电流在0~5A内连续可调，电流纹波系数可达0.5%以下，电源变换效率可达80%以上。结果表明，该驱动器能够满足HDLG808CW5W型号半导体激光器的驱动需求。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：fengzimili
IGBT模块驱动及保护技术
上传时间： 2013-10-19
上传用户：forzalife
IGBT的作用
上传时间： 2014-12-24
上传用户：peterli123456
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：thesk123
IGBT开关过程仿真分析中的PSPICE应用研究
上传时间： 2013-12-23
上传用户：shen954166632
