一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...
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摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V...
该程序可以测量的电压误差为0.001V,精度高
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基于8051F实现数字电压表功能.用液晶作为显示界面,精度很高.
基于8051F实现数字电压表功能.用液晶作为显示界面,精度很高....
1参考电压需要足够精确,推荐使用外部高精准参考电压. 2如果PGA可调,增益系数一般是越小噪声越低. 3一般最好用到满量程,此时AD精度不浪费. 4如果有偏置,需要进行自校. 5请注意
1参考电压需要足够精确,推荐使用外部高精准参考电压. 2如果PGA可调,增益系数一般是越小噪声越低. 3一般最好用到满量程,此时AD精度不浪费. 4如果有偏置,需要进行自校. 5请注意在使用DEMO板调试时,会由调试口导入PC噪声,由信号连接线导入外部噪声,因此建议使用屏蔽电缆传输信...
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