·摘要 : 基于DSP(数字信号处理器)的电机控制技术可以对直流无刷电机进行精确的控制。选用高速DSP作为控制器，实时性好、控制精度高、抗干扰性强。本文从系统整体设计、硬件设计、仿真实现和控制算法等方面论述了TMS32OLF2407在低速小角度低电压直流无刷电机控制中的应用技术。
上传时间： 2013-06-26
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先进的系统架构和集成电路设计技术，使得模数转换器 (ADC) 制造商得以开发出更高速率和分辨率，更低功耗的产品。这样，当设计下一代的系统时，ADC设计人员已经简化了很多系统平台的开发。例如，同时提高ADC采样率和分辨率可简化多载波、多标准软件无线电系统的设计。这些软件无线电系统需要具有数字采样非常宽频范围，高动态范围的信号的能力，以同步接收远、近端发射机的多种调制方式的高频信号。同样，先进的雷达系统也需要提高ADC采样率和分辨率，以改善灵敏度和精度。在满足了很多应用的具体需求，ADC的主要性能有了很大的提高的同时，ADC的功耗也有数量级的下降，进一步简化了系统散热设计和更小尺寸产品的设计。
标签： FemtoCharge ADC 高分辨率 低功耗
上传时间： 2013-10-22
上传用户：meiguiweishi
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等，可以将直流电压小信号进行隔离放大（u/u）输出或直接转换为直流电流（u /i）信号输出。较大的输入阻抗（≥1 mω）,较强的带负载能力（电流输出＞650ω,电压输出≥2kω）能实现小信号远程无失真的传输。 ic内部可采用陶瓷基板、印刷电阻全smt的可靠工艺制作及使用新技术隔离措施，使器件能满足信号输入/输出/辅助电源之间3kv三隔离和工业级宽温度、潮湿震动等现场环境要求。外接满度校正和零点校正的多圈电位器可实现 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信号之间的隔离和转换。（精度线性高，隔离电压3000vdc）
上传时间： 2014-12-23
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设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流水线（Pipelined）ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺，在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结果表明，在2.5 V单电源电压下驱动2 pF负载时，运放的直流增益可达到124 dB，单位增益带宽720 MHz，转换速率高达885 V/μs，达到0.1%的稳定精度的建立时间只需4 ns，共模抑制比153 dB。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：jiiszha
摘要本设计以VCA822、MSP430F2012、DAC7611芯片为核心，加以其它辅助电路实现对宽带电压放大器的电压放大倍数、输出电压进行精确控制。放大器的电压放大倍数从0.2倍到20倍以0.1倍为步进设定，输出电压从6mv到600mv以1mv为步进设定，控制误差不大于5%，放大器的带宽大于15MHz。键盘和显示电路实现人机交互，完成对电压放大倍数和输出电压的设定和显示。关键词：程控放大器；高精度；控制电压；电压变换；D/A；A/D。
上传时间： 2013-11-16
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印刷电路板（PCB）设计解决方案市场和技术领军企业Mentor Graphics（Mentor Graphics）宣布推出HyperLynx® PI（电源完整性）产品，满足业内高端设计者对于高性能电子产品的需求。HyperLynx PI产品不仅提供简单易学、操作便捷，又精确的分析，让团队成员能够设计可行的电源供应系统；同时缩短设计周期，减少原型生成、重复制造，也相应降低产品成本。随着当今各种高性能/高密度/高脚数集成电路的出现，传输系统的设计越来越需要工程师与布局设计人员的紧密合作，以确保能够透过众多PCB电源与接地结构，为IC提供纯净、充足的电力。配合先前推出的HyperLynx信号完整性（SI）分析和确认产品组件，Mentor Graphics目前为用户提供的高性能电子产品设计堪称业内最全面最具实用性的解决方案。“我们拥有非常高端的用户，受到高性能集成电路多重电压等级和电源要求的驱使，需要在一个单一的PCB中设计30余套电力供应结构。”Mentor Graphics副总裁兼系统设计事业部总经理Henry Potts表示。“上述结构的设计需要快速而准 确的直流压降(DC Power Drop)和电源杂讯(Power Noise)分析。拥有了精确的分析信息，电源与接地层结构和解藕电容数(de-coupling capacitor number)以及位置都可以决定，得以避免过于保守的设计和高昂的产品成本。”
上传时间： 2013-11-18
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第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
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根据汽车发动机控制芯片的工作环境，针对常见的温度失效问题，提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺，采用电流型带隙基准电压源结构，具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法，实现了较宽温度范围内的低温度系数。仿真结果表明，该带隙基准电路在-50℃~+125℃的温度范围内，实现平均输出电压误差仅5.2 ppm/℃，可用于要求极端严格的发动机温度环境。该电路电源共模抑制比最大为99 dB，可以有效缓解由发动机在不同工况下产生的电源纹波对输出参考电压的影响。
上传时间： 2014-01-09
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介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
针对污水处理厂剩余污泥含水率高，达到70%~80%，不利于进一步处理的问题，根据污水成分及其处理工艺特点，提出了一种基于高压脉冲电场技术的污水处理的方法。本文从理论上系统地阐述了高压脉冲电场处理装置的研制，设计了低成本高压脉冲电源，最高电压10 kV，最大电流50 A，并且能方便的调节电场参数。
上传时间： 2013-10-10
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